### **Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN/PNP Digital Transistor (Bias Resistor Transistor - BRDT)  
- **Configuration:** Dual NPN + PNP  
- **Collector Current (Ic):** 100mA (per transistor)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 50V (NPN), -50V (PNP)  
- **Base-Emitter Voltage (Vbe):** 5V (NPN), -5V (PNP)  
- **Integrated Resistors:**  
  - **Base Resistor (R1):** 10kΩ  
  - **Base-Emitter Resistor (R2):** 10kΩ  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for switching and amplification in digital applications.  
- Integrated bias resistors simplify circuit design by reducing external component count.  
- Suitable for high-density surface-mount applications.  
- Low power consumption.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **ON Semiconductor datasheet**.