### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The MBT3906DW is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) in a SOT-363 (SC-88) surface-mount package. It is designed for high-speed switching and amplification applications.  

### **Features:**  
- High current gain bandwidth product  
- Low saturation voltage  
- Suitable for high-speed switching  
- Small surface-mount package (SOT-363)  
- Pb-free and RoHS compliant  

This information is based on ON Semiconductor's datasheet for the MBT3906DW.

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -200mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (varies with conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Compact SOT-363 package suitable for space-constrained applications.  
- Suitable for use in portable electronics, signal amplification, and driver circuits.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.