Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW1T1G is a dual NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ONSEMI. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** Dual NPN  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA per transistor  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 @ 10mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 200mW per transistor  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-363 (SC-88)  

### **Descriptions:**  
- The MBT3904DW1T1G consists of two matched NPN transistors in a single package.  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power, high-speed switching circuits.  

### **Features:**  
- **Matched Pair:** Ensures consistent performance in differential amplifier circuits.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in switching applications.  
- **High Current Gain:** Provides good signal amplification.  
- **Compact Package:** SOT-363 footprint saves board space.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from ONSEMI's official datasheet for the MBT3904DW1T1G.

Dual General Purpose Transistors