Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW1T1 is a dual NPN general-purpose transistor manufactured by LRC (Leshan Radio Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** LRC (Leshan Radio Company)  
- **Type:** Dual NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V  
- **Collector Current (IC):** 200mA (per transistor)  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 300 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The MBT3904DW1T1 consists of two matched NPN transistors in a single SOT-363 package.  
- It is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power, high-speed applications due to its high transition frequency.  

### **Features:**  
- **Dual NPN Configuration:** Two independent transistors in a compact package.  
- **High Voltage Tolerance:** Supports up to 40V VCEO.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **Matched Pair:** Provides consistent performance in differential amplifier circuits.  
- **Small Footprint:** SOT-363 package is ideal for space-constrained PCB designs.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual General Purpose Transistors