Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW is a dual NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN Transistor  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA (per transistor)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200mW (total for both transistors)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low voltage, high-speed switching capability.  
- Matched pair configuration for balanced performance.  
- Suitable for surface-mount applications due to small package size.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official ON Semiconductor datasheet.

Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors

Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW is a dual NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Taiwan Semiconductor (TAIWAN). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN BJT  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA (per transistor)  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The MBT3904DW consists of two independent NPN transistors in a single SOT-363 package.  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for high-speed switching due to its high transition frequency.  

### **Features:**  
- **Dual NPN configuration** in a compact package.  
- **High current gain (h_FE)** for efficient amplification.  
- **Low saturation voltage** for improved switching performance.  
- **High transition frequency (f_T)** for fast switching applications.  
- **Small form factor (SOT-363)** suitable for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the MBT3904DW.

Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors

Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW is a dual NPN transistor manufactured by KINCWELL.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V  
- **Collector Current (IC):** 200mA (per transistor)  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW (total for both transistors)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  

### **Descriptions:**  
- The MBT3904DW consists of two independent NPN transistors in a single compact package.  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power and high-frequency circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SOT-363 package for space-saving PCB designs.  
- Matched pair transistors for balanced performance in differential circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official KINCWELL documentation.

Tech Electronics LTD - Dual General Purpose Transistors