SWITCHMODE Power Rectifiers The **MBRD660CTG** is a Schottky diode manufactured by ON Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** DPAK (TO-252)  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 6A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 100A (non-repetitive)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.72V (typical) at 6A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (typical) at 60V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power applications.  
- Low forward voltage drop minimizes power loss.  
- Fast switching performance for high-frequency applications.  
- Guard ring construction for enhanced reliability.  

### **Features:**  
- **Low Power Loss:** Optimized for energy efficiency.  
- **High Surge Current Capability:** Handles transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Moisture Sensitivity Level (MSL):** MSL 1 (Unlimited floor life at ≤30°C/85% RH).  

For detailed electrical characteristics and mechanical dimensions, refer to the official datasheet from ON Semiconductor.

SWITCHMODE Power Rectifiers