SWITCHMODE Power Rectifiers The **MBRD640CTT4G** is a Schottky Barrier Rectifier diode manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 6.0 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150 A  
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM):** 40 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.49 V (Typical at 3 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (Maximum at 40 V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency rectification in power supply applications.  
- Low forward voltage drop minimizes power loss.  
- High current capability in a compact package.  

### **Features:**  
- **Schottky Barrier Technology:** Ensures fast switching and low power loss.  
- **Dual Common Cathode Configuration:** Simplifies PCB layout in high-current applications.  
- **High Surge Current Capability:** Supports transient overload conditions.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is sourced from ON Semiconductor's official datasheet for the MBRD640CTT4G.

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