Dual High-Voltage Schottky Rectifiers, Forward Current 30 A The MBR30H60CT is a Schottky barrier rectifier manufactured by GS (General Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** MBR30H60CT  
- **Manufacturer:** GS (General Semiconductor)  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** TO-220AB (3-pin)  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 30A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 300A  
- **Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.71V (typical) at 15A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 1.0mA (maximum) at 60V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +175°C  
- **Storage Temperature Range:** -65°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The MBR30H60CT is a high-efficiency Schottky rectifier designed for low-loss power applications.  
- It features a dual common cathode configuration in a TO-220AB package, suitable for high-current rectification.  
- The Schottky barrier structure ensures fast switching and low forward voltage drop.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Surge Current Capability:** Withstands transient overloads.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Temperature Operation:** Reliable performance in demanding environments.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual High-Voltage Schottky Rectifiers, Forward Current 30 A