HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR20H100CT-E1 is a Schottky barrier rectifier manufactured by BCD Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** BCD Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** TO-220AB (3-pin)  
- **Configuration:** Common cathode  
- **Maximum Average Forward Current (Io):** 10A per diode (20A total)  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 150A  
- **Reverse Voltage (Vr):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** 0.85V (typical) at 10A  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 0.5mA (typical) at 100V  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The MBR20H100CT-E1 is a dual Schottky rectifier in a TO-220AB package with a common cathode configuration.  
- It is designed for high-efficiency power applications due to its low forward voltage drop and fast switching characteristics.  
- Suitable for use in power supplies, inverters, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Power Loss:** Schottky barrier technology ensures minimal forward voltage drop.  
- **High Surge Current Capability:** Can handle high transient currents.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Temperature Operation:** Reliable performance under thermal stress.  
- **Common Cathode Configuration:** Simplifies circuit design in certain applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER