HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR20200CT-E1 is a Schottky Barrier Rectifier manufactured by BCD Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** BCD Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** TO-220AB  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 20A per diode (10A per leg)  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Reverse Voltage (VR):** 200V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.95V (typical) at 10A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 1mA (maximum) at 200V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The MBR20200CT-E1 is a high-efficiency Schottky rectifier designed for applications requiring low forward voltage drop and fast switching.  
- It is suitable for power supplies, inverters, and DC-DC converters.  
- The dual common cathode configuration allows for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Reduces power loss and improves efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 20A per diode.  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands 150A non-repetitive surge current.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Temperature Operation:** Reliable performance up to 150°C junction temperature.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to BCD Semiconductor's official documentation.

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER