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MBR10100CT-E1 from BCD

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MBR10100CT-E1

Manufacturer: BCD

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MBR10100CT-E1,MBR10100CTE1 BCD 500 In Stock

Description and Introduction

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR10100CT-E1 is a Schottky Barrier Rectifier manufactured by BCD Semiconductor. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** BCD Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 10A per diode (20A total)  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.85V (typical) at 5A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (typical) at 100V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The MBR10100CT-E1 is a high-efficiency Schottky rectifier designed for low-voltage, high-frequency applications.  
- It features a dual common cathode configuration, making it suitable for use in power supplies, converters, and reverse polarity protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 10A per diode (20A total).  
- **Fast Switching:** Ideal for high-frequency circuits.  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands up to 150A peak surge current.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

These details are sourced from the manufacturer's datasheet and product documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MBR10100CT-E1,MBR10100CTE1 20 In Stock

Description and Introduction

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR10100CT-E1 is a Schottky barrier rectifier manufactured by ON Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VRRM):** 100V  
- **Average Forward Current (IO):** 10A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.85V (typical at 5A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (typical at 100V)  
- **Junction Temperature Range (TJ):** -65°C to +175°C  
- **Package Type:** TO-220AB (3-pin)  

### **Description:**  
The MBR10100CT-E1 is a dual Schottky rectifier designed for high-efficiency power applications. It features low forward voltage drop and fast switching, making it suitable for switching power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low Power Loss:** Schottky barrier design minimizes conduction losses.  
- **High Efficiency:** Fast switching capability reduces switching losses.  
- **Dual Common Cathode Configuration:** Two diodes in a single package.  
- **High Surge Current Capability:** Supports transient overload conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to ON Semiconductor's official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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