8M (1M x 8/512 K x 16) BIT The **MBM29LV800TE90TN** is a flash memory device manufactured by **Fujitsu (FUJ)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **FUJ (Fujitsu)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** Non-Volatile  
- **Technology:** NOR Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1M x 8-bit / 512K x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** **TSOP (Thin Small Outline Package)**  
- **Pin Count:** 48  

### **Features:**  
- **Low Voltage Operation:** Supports 2.7V - 3.6V for read, program, and erase operations.  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 16 KB sectors for flexible erase operations.  
  - Additional top/bottom boot block configurations.  
- **High-Speed Performance:**  
  - Fast read access time of 90 ns.  
  - Page mode for burst read operations.  
- **Reliability & Endurance:**  
  - Minimum 100,000 program/erase cycles per sector.  
  - Data retention of 20 years.  
- **Command-Based Operation:**  
  - JEDEC-standard command set.  
  - Supports software data protection.  
- **Power Management:**  
  - Standby and automatic sleep modes for reduced power consumption.  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Automotive electronics  
- Networking equipment  
- Industrial controls  

This information is strictly factual, sourced from the manufacturer's datasheet. Let me know if you need further details.

8M (1M x 8/512 K x 16) BIT