CMOS 8M (1M x 8/512K x 16) bit The **MBM29LV800BA-90PFTN** is a flash memory device manufactured by **FUJITSU**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:**  
  - 1M x 8-bit or 512K x 16-bit  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 44-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**
- The **MBM29LV800BA-90PFTN** is a **3.0V-only** flash memory device with a uniform sector architecture.  
- It supports **both byte (x8) and word (x16) configurations** for flexible system integration.  
- Designed for **high-performance applications**, it features fast read and write operations.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 9 mA (typical)  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
- **Fast Erase and Program Times:**  
  - Sector erase time: 1 sec (typical)  
  - Chip erase time: 10 sec (typical)  
  - Byte/word program time: 9 µs (typical)  
- **Sector Architecture:**  
  - Sixteen 16 KB sectors  
  - One 8 KB and one 24 KB sector  
  - One 32 KB sector  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector protection/unprotection via programming commands  
  - Built-in write inhibit for accidental programming  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set  
  - Compatible with industry-standard flash interfaces  

This device is suitable for applications requiring **non-volatile storage** in embedded systems, automotive electronics, and industrial controls.  

Would you like additional details on any specific aspect?

CMOS 8M (1M x 8/512K x 16) bit