CMOS 8M (1M x 8/512K x 16) bit The **MBM29LV800BA-90PFTN** is a flash memory device manufactured by **Fujitsu (FUJ)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** NOR  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:**  
  - 1M x 8-bit or 512K x 16-bit  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-Pin TSOP (PFTN)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV800BA-90PFTN** is a **3.0V-only** flash memory device.  
- It supports both **byte (x8) and word (x16) configurations**.  
- Features **asynchronous read and write operations**.  
- Designed for high-performance, low-power applications.  

### **Key Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase.  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 16 KB sectors for flexible erase operations.  
- **Fast Erase & Program Times:**  
  - Sector erase time: 1 second (typical).  
  - Chip erase time: 10 seconds (typical).  
  - Byte/word program time: 10 µs (typical).  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 10 mA (typical).  
  - Standby current: 1 µA (typical).  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector protection/unprotection via programming commands.  
  - Built-in **Write Protect (WP#)** pin for hardware protection.  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC standard pinout for 48-pin TSOP.  
  - Supports **CFI (Common Flash Interface)** for system compatibility.  

This flash memory is suitable for embedded systems, networking, and industrial applications requiring reliable non-volatile storage.

CMOS 8M (1M x 8/512K x 16) bit