4M (512K X 8/256K X 16) BIT The **MBM29LV400TC-90PFTN** is a flash memory device manufactured by **FUJITSU**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** Non-Volatile  
- **Technology:** CMOS  
- **Density:** 4 Mbit (512K x 8-bit / 256K x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 64 KB sectors  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV400TC-90PFTN** is a **4Mbit (512K x 8 / 256K x 16)** flash memory device designed for high-performance embedded applications.  
- It supports both **8-bit and 16-bit** data bus configurations.  
- Features **low power consumption** and **high-speed read operations**.  
- Includes a **hardware reset pin (RESET#)** for system initialization.  
- **Sector erase capability** allows flexible memory management.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase.  
- **Fast Access Time:** 90 ns.  
- **Program/Erase Control:**  
  - Byte/Word programming (10 µs typical).  
  - Sector erase (64 KB uniform sectors).  
  - Chip erase function.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 15 mA (typical).  
  - Standby current: 1 µA (typical).  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Power-on reset for stable boot-up.  
  - Write protection via **CE#** and **OE#** control.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard command set.  
- **Reliability:**  
  - 100,000 program/erase cycles.  
  - 20-year data retention.  

This flash memory is suitable for applications requiring **non-volatile storage**, such as **embedded systems, networking devices, and industrial controllers**.

4M (512K X 8/256K X 16) BIT

4M (512K X 8/256K X 16) BIT The MBM29LV400TC-90PFTN is a flash memory device manufactured by Fujitsu (FUJI). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fujitsu (FUJI)  
- **Part Number:** MBM29LV400TC-90PFTN  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Package Type:** 48-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- A 4 Mbit (512K x 8-bit or 256K x 16-bit) CMOS flash memory.  
- Supports both 8-bit and 16-bit data bus configurations.  
- Designed for high-performance, low-power applications.  
- Suitable for embedded systems, automotive, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V supply range.  
- **Fast Access Time:** 90 ns.  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 64K-byte sectors.  
- **Programming & Erasure:**  
  - Supports sector erase and chip erase.  
  - Automatic programming and erase algorithms.  
- **Data Protection:**  
  - Hardware and software write protection.  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 program/erase cycles.  
  - Data retention: 20 years.  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set.  

This information is strictly based on the manufacturer's specifications.

4M (512K X 8/256K X 16) BIT

4M (512K X 8/256K X 16) BIT The **MBM29LV400TC-90PFTN** is a **4M-bit (512K x 8-bit / 256K x 16-bit) CMOS 3.0V-only Flash Memory** manufactured by **Fujitsu (now Spansion)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Organization:**  
  - **512K x 8-bit** or **256K x 16-bit**  
- **Supply Voltage:** **2.7V to 3.6V**  
- **Access Time:** **90 ns**  
- **Operating Current:**  
  - **Read:** 9 mA (typical)  
  - **Program/Erase:** 20 mA (typical)  
- **Standby Current:** 1 µA (typical)  
- **Sector Architecture:**  
  - **Eight 4K-word (8K-byte) sectors**  
  - **One 8K-word (16K-byte) sector**  
  - **Seven 32K-word (64K-byte) sectors**  
- **Erase/Program Features:**  
  - **Sector Erase (4K/8K/32K words)**  
  - **Chip Erase**  
  - **Byte/Word Program**  
- **Endurance:** **100,000 program/erase cycles**  
- **Data Retention:** **20 years**  
- **Package:** **48-pin TSOP (Type I, 12 x 20 mm)**  

### **Features:**  
- **Single 3.0V power supply**  
- **Low power consumption**  
- **Compatible with JEDEC-standard commands**  
- **Hardware data protection (WP# pin)**  
- **Automatic sleep mode**  
- **Embedded Algorithms for programming/erasing**  

This device is designed for applications requiring **non-volatile storage**, such as **embedded systems, networking, and industrial controls**.  

(Source: Fujitsu/Spansion Datasheet)

4M (512K X 8/256K X 16) BIT

4M (512K X 8/256K X 16) BIT **Manufacturer:** FUJ (Fujitsu)  
**Part Number:** MBM29LV400TC-90PFTN  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** NOR  
- **Memory Size:** 4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16)  
- **Speed:** 90 ns access time  
- **Voltage Supply:** 2.7V - 3.6V  
- **Interface:** Parallel  
- **Package:** 48-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**  
The MBM29LV400TC-90PFTN is a 4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) CMOS flash memory device with a fast access time of 90 ns. It operates at a low voltage range of 2.7V to 3.6V, making it suitable for low-power applications.  

### **Features:**  
- **Single Power Supply:** 2.7V - 3.6V  
- **Fast Access Time:** 90 ns  
- **Sector Erase Architecture:**  
  - Uniform 64K-byte sectors  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 write/erase cycles  
  - Data retention: 20 years  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector protection/unprotection  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
- **Packaging:** 48-pin TSOP (PF)  

This device is commonly used in embedded systems, automotive electronics, and industrial applications requiring non-volatile storage.

4M (512K X 8/256K X 16) BIT