IC Phoenix logo

Home ›  M  › M92 > MBM29LV200TC-70PFTN

MBM29LV200TC-70PFTN from FUJITSU,Fujitsu Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

MBM29LV200TC-70PFTN

Manufacturer: FUJITSU

2M (256K X 8/128K X 16) BIT

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MBM29LV200TC-70PFTN,MBM29LV200TC70PFTN FUJITSU 22 In Stock

Description and Introduction

2M (256K X 8/128K X 16) BIT The **MBM29LV200TC-70PFTN** is a flash memory device manufactured by **Fujitsu**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fujitsu  
- **Part Number:** MBM29LV200TC-70PFTN  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 2 Mbit (256K x 8-bit or 128K x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Package Type:** 48-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 4 KByte sectors  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV200TC-70PFTN** is a **2 Mbit CMOS flash memory** with a flexible architecture supporting both **8-bit and 16-bit** configurations.  
- It operates on a **single power supply (2.7V - 3.6V)**, making it suitable for low-power applications.  
- The device features **fast read access time (70 ns)** and supports **automatic program and erase operations** with embedded algorithms.  
- It includes **hardware data protection** against accidental writes and **sector protection** for secure data storage.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase.  
- **Flexible Sector Architecture:** Uniform 4 KB sectors for easy management.  
- **High Performance:**  
  - 70 ns access time  
  - 20 µs typical byte programming time  
  - Sector erase in 0.7 seconds (typical)  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 15 mA (typical)  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - WP# (Write Protect) pin for sector protection  
  - VCC detection to prevent incorrect writes  
- **Compatibility:** JEDEC-standard commands and pinout.  
- **Reliability:** 100K write/erase cycles and 20-year data retention.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. No additional guidance or suggestions are included.

Application Scenarios & Design Considerations

2M (256K X 8/128K X 16) BIT
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MBM29LV200TC-70PFTN,MBM29LV200TC70PFTN FUJ 149 In Stock

Description and Introduction

2M (256K X 8/128K X 16) BIT The **MBM29LV200TC-70PFTN** is a flash memory device manufactured by **Fujitsu (now part of Spansion/Cypress)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 2 Mbit (256K x 8-bit or 128K x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel (x8/x16)  
- **Sector Architecture:** Uniform 4K-byte sectors  

### **Descriptions:**
- **High-Performance Flash Memory:** Offers fast read/write operations suitable for embedded systems.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Reliable Data Storage:** Supports block erase and reprogramming without external high voltage.  
- **Compatibility:** Works with standard microprocessor and microcontroller interfaces.  

### **Features:**
- **Single Voltage Operation:** 3V read/write/erase.  
- **Sector Erase Capability:** 4K-byte sectors for flexible memory management.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write protection features.  
- **Automatic Programming & Erase Algorithms:** Simplifies firmware updates.  
- **Extended Endurance:** 100,000 program/erase cycles per sector.  
- **Data Retention:** Up to 20 years.  

This device is commonly used in **industrial, automotive, and consumer electronics** requiring non-volatile storage.  

*(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)*

Application Scenarios & Design Considerations

2M (256K X 8/128K X 16) BIT

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips