2M (256K X 8/128K X 16) BIT **Manufacturer:** FUJITSU  
**Part Number:** MBM29LV200BC-90PFTN  
### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** Non-Volatile  
- **Technology:** NOR Flash  
- **Memory Size:** 2Mbit (256K x 8 or 128K x 16)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
### **Descriptions:**  
- The MBM29LV200BC-90PFTN is a 2Mbit (256K x 8 / 128K x 16) CMOS flash memory device.  
- It supports both 8-bit and 16-bit data bus configurations.  
- Designed for high-performance, low-power applications.  
- Features a flexible sector architecture for efficient memory management.  
### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase.  
- **Sector Erase Capability:** Allows individual sector erasure (4K/8K/32K/64K bytes).  
- **Fast Programming Time:** Byte/word programming in 10µs (typical).  
- **Low Power Consumption:** Standby current of 1µA (typical).  
- **Hardware Data Protection:** Includes write protection and power-on reset.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout and command set.  
- **Reliability:** Endurance of 100,000 write/erase cycles per sector.  
This device is commonly used in embedded systems, industrial controls, and consumer electronics requiring non-volatile storage.