16M (2M X 8/1M X 16) BIT The **MBM29LV160TE-90TN** is a flash memory device manufactured by **Fuji Electric**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Fuji Electric**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 16 Megabit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Package:** **TSOP (Thin Small Outline Package) - 48-pin**  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (specific variant dependent)  
- **Sector Architecture:** Uniform 32 KB sectors  
- **Endurance:** Minimum 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance Flash Memory:** Supports fast read and write operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Flexible Sector Erase:** Allows erasing in 32 KB blocks.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write protection features to prevent accidental corruption.  
- **Compatibility:** Works in both **8-bit and 16-bit** configurations.  
- **Command-Based Operation:** Uses standard JEDEC flash commands for programming and erasing.  
- **Reliable Data Storage:** Suitable for embedded systems, industrial applications, and consumer electronics.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

16M (2M X 8/1M X 16) BIT

16M (2M X 8/1M X 16) BIT The **MBM29LV160TE-90TN** is a flash memory device manufactured by **Fujitsu (FUJ)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 16 Megabit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Organization:**  
  - **x8 Mode:** 2,097,152 words × 8 bits  
  - **x16 Mode:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Sector Architecture:**  
  - **Top Boot Block:**  
    - Sixteen 4K-word sectors  
    - One 8K-word sector  
    - Seven 16K-word sectors  
    - One 32K-word sector  
  - **Bottom Boot Block:**  
    - One 16K-word sector  
    - Two 8K-word sectors  
    - One 32K-word sector  
    - Seven 16K-word sectors  
    - Sixteen 4K-word sectors  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV160TE-90TN** is a **3.0V-only** flash memory device designed for high-performance embedded applications.  
- It supports **both 8-bit and 16-bit data bus configurations** for flexible system integration.  
- Features **asynchronous read and write operations** with a fast access time of **90 ns**.  
- Includes **sector erase and chip erase** capabilities for efficient memory management.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 15 mA (typical)  
  - Standby Current: 1 µA (typical)  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 write/erase cycles per sector  
  - Data Retention: 20 years  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector protection/unprotection via programming commands  
  - Power-on reset for stable operation  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set  
  - Compatible with Intel 28F160 series flash memory  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further details.

16M (2M X 8/1M X 16) BIT