IC Phoenix logo

Home ›  M  › M92 > MBM29LV160TE-90

MBM29LV160TE-90 from FUJI

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

MBM29LV160TE-90

Manufacturer: FUJI

FLASH MEMORY 16M (2M x 8/1M x 16) BIT

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MBM29LV160TE-90,MBM29LV160TE90 FUJI 25 In Stock

Description and Introduction

FLASH MEMORY 16M (2M x 8/1M x 16) BIT Here are the factual details about the **MBM29LV160TE-90** manufacturer **Fujitsu (FUJI)** from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fujitsu (FUJI)  
- **Part Number:** MBM29LV160TE-90  
- **Memory Type:** Flash Memory  
- **Density:** 16 Megabit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  
- **Sector Architecture:** Uniform 32 KB sectors  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV160TE-90** is a **16Mbit (2MB) CMOS flash memory** device with a flexible **x8/x16** data bus.  
- It is designed for **low-voltage, high-performance** applications requiring non-volatile storage.  
- Supports **asynchronous read and write operations** with a **90ns access time**.  
- Features **erase and program suspend/resume** functions for improved system efficiency.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase  
- **Sector Erase Capability:** 32 KB uniform sectors  
- **Fast Program/Erase Times:**  
  - **Byte Programming Time:** 9 µs (typical)  
  - **Sector Erase Time:** 0.5 sec (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - **VCC Lockout** (prevents writes below 2.5V)  
  - **Write Protect Pin** (WP#) for hardware protection  
- **Command Register Architecture:** JEDEC-compatible  
- **Low Power Consumption:**  
  - **Active Read Current:** 20 mA (typical)  
  - **Standby Current:** 1 µA (typical)  
- **Endurance:** 100,000 program/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years minimum  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. Let me know if you need further details.

Application Scenarios & Design Considerations

FLASH MEMORY 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MBM29LV160TE-90,MBM29LV160TE90 FUJITSU 270 In Stock

Description and Introduction

FLASH MEMORY 16M (2M x 8/1M x 16) BIT The **MBM29LV160TE-90** is a flash memory device manufactured by **FUJITSU**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FUJITSU  
- **Part Number:** MBM29LV160TE-90  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 16 Megabit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Organization:**  
  - **x8 Mode:** 2,097,152 words × 8 bits  
  - **x16 Mode:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (varies by model)  
- **Sector Architecture:**  
  - **Boot Sector:** 16 KB (top or bottom)  
  - **Main Sectors:** 8 KB, 32 KB, or 64 KB  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV160TE-90** is a **16Mbit (2MB) CMOS flash memory** designed for high-performance, low-power applications.  
- It supports **both 8-bit and 16-bit data bus configurations**, making it flexible for different system designs.  
- Features **asynchronous read operations** with a fast access time of **90 ns**.  
- Includes a **boot sector architecture** for flexible code storage (top or bottom boot block).  

### **Features:**  
- **Single Power Supply:** Operates at **2.7V to 3.6V**, suitable for low-power systems.  
- **Sector Erase Capability:** Allows individual sector erasure (16 KB, 8 KB, 32 KB, or 64 KB).  
- **Fast Programming Time:** Byte/word programming in **7 µs (typical)**.  
- **Low Power Consumption:**  
  - **Active Read Current:** 20 mA (typical)  
  - **Standby Current:** 1 µA (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - **Write Protection** via control pin or power transition lockout.  
  - **Temporary Sector Unprotect** for secure data modification.  
- **Compatibility:** Supports **JEDEC-standard** commands and pinouts.  
- **Reliability:**  
  - **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector.  
  - **Data Retention:** 20 years (minimum).  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

FLASH MEMORY 16M (2M x 8/1M x 16) BIT

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips