**Part Number:** MBM29LV160T-12  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** NOR  
- **Memory Size:** 16 Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Speed:** 120 ns access time  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
The MBM29LV160T-12 is a 16 Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit) CMOS flash memory device from FUJITSU. It operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V and features a fast access time of 120 ns. The device is designed for applications requiring non-volatile, high-speed read operations.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase  
- **Flexible Sector Architecture:**  
  - Sixteen 16 KByte sectors  
  - One 8 KByte sector  
  - Two 32 KByte sectors  
  - One 64 KByte sector  
- **High-Speed Performance:**  
  - 120 ns maximum access time  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
  - Active read current: 9 mA (typical)  
- **Reliable Erase/Program Operations:**  
  - Sector erase capability  
  - Chip erase function  
  - Byte/word programming  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector protection/unprotection  
  - Temporary sector unprotection  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC standard command set  
  - Compatible with industry-standard flash memory interfaces  

This device is suitable for embedded systems, telecommunications, and other applications requiring reliable non-volatile storage.