### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** NOR  
- **Memory Size:** 16Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The MBM29LV160BE-90TN is a 16Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit) CMOS flash memory device.  
- It operates with a single power supply (2.7V - 3.6V) and features fast access times.  
- Designed for high-performance embedded systems requiring non-volatile storage.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 10mA (typical)  
  - Standby current: 1µA (typical)  
- **Fast Erase and Programming:**  
  - Sector erase time: 1s (typical)  
  - Byte programming time: 10µs (typical)  
- **Flexible Sector Architecture:**  
  - Sixteen 4K-word (8K-byte) sectors  
  - One 32K-word (64K-byte) sector  
  - Seven 64K-word (128K-byte) sectors  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector protection/unprotection via programming commands  
  - Embedded algorithms for erase and program operations  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set  
  - Backward-compatible with older flash memory devices  
- **Reliability:**  
  - Minimum 100,000 erase/program cycles per sector  
  - Data retention: 20 years (typical)  

This device is suitable for applications requiring reliable, high-speed, and low-power non-volatile memory storage.