CMOS 8M (1M x 8) bit The **MBM29LV080A-90PTN** is a flash memory device manufactured by **FUJI**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
- **FUJI**  

### **Specifications:**  
- **Type:** 8M (1M x 8-bit) CMOS Flash Memory  
- **Speed:** 90ns access time  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Current:** 20mA (typical)  
- **Standby Current:** 1µA (typical)  
- **Sector Architecture:**  
  - Sixteen 64K-byte sectors  
  - Top or bottom boot block configuration  
- **Package:** 44-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Erase/Program Cycles:** 100,000 minimum  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance Flash Memory:** Supports fast read and write operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Sector Erase Capability:** Allows individual sector erasure.  
- **Hardware Data Protection:** Prevents accidental writes.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout and command set.  
- **Reliability:** High endurance and data retention.  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data.

CMOS 8M (1M x 8) bit

CMOS 8M (1M x 8) bit The MBM29LV080A-90PTN is a flash memory device manufactured by Fujitsu (FUJ). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fujitsu (FUJ)  
- **Part Number:** MBM29LV080A-90PTN  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 44-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**
- The MBM29LV080A-90PTN is a 3.0V-only, 8 Mbit (1M x 8) flash memory device.  
- It is designed for high-performance, low-power applications.  
- Supports sector erase and chip erase operations.  
- Compatible with JEDEC-standard commands for flash memory.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase.  
- **High-Speed Access:** 90 ns maximum access time.  
- **Sector Erase Architecture:**  
  - Uniform 64 KB sectors.  
  - Supports sector erase or full chip erase.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 15 mA (typical).  
  - Standby current: 1 µA (typical).  
- **Hardware Data Protection:**  
  - WP# (Write Protect) pin for sector protection.  
  - Reset (RESET#) pin for device initialization.  
- **Reliability:**  
  - Minimum 100,000 erase/program cycles per sector.  
  - Data retention: 20 years (typical).  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional suggestions or guidance are included.

CMOS 8M (1M x 8) bit