16M (2M X 8) BIT The **MBM29LV017-90PTN** is a flash memory chip manufactured by **FUJITSU**. Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 16Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV017-90PTN** is a **3.0V-only** flash memory device designed for high-performance applications.  
- It supports both **8-bit and 16-bit** data bus configurations.  
- Features **sector erase architecture**, allowing individual sector erasure without affecting other sectors.  
- Suitable for embedded systems, firmware storage, and other applications requiring non-volatile memory.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase operations.  
- **Sector Erase Capability:** Uniform 4K-byte sectors.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 20mA (typical)  
  - Standby Current: 1µA (typical)  
- **High-Speed Programming:**  
  - Byte Programming: 10µs (typical)  
  - Sector Erase: 1s (typical)  
  - Chip Erase: 10s (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Power-on reset  
  - VCC lockout during power transitions  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set  
  - Pin-compatible with other 16Mbit flash memories  

This device is designed for reliability and performance in industrial and commercial applications.

16M (2M X 8) BIT

16M (2M X 8) BIT The **MBM29LV017-90PTN** is a flash memory chip manufactured by **FUJI**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **FUJI**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 2 Megabits (256K x 8-bit or 128K x 16-bit)  
- **Speed:** 90ns access time  
- **Voltage Supply:** 3.0V - 3.6V  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (confirm exact range from datasheet)  
- **Package Type:** **PTN** (Plastic Thin Small Outline Package - TSOP)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance Flash Memory:** Designed for fast read operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for 3V operation.  
- **Sector Architecture:** Supports sector erase (typical for flash memory).  
- **Compatibility:** May support standard microprocessor interfaces.  
- **Reliability:** High endurance and data retention.  

For precise technical details, refer to the official **FUJI datasheet** for the **MBM29LV017-90PTN**.

16M (2M X 8) BIT

16M (2M X 8) BIT The **MBM29LV017-90PTN** is a flash memory chip manufactured by **FUJITSU (FUJ)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** Non-Volatile  
- **Memory Size:** 16Mbit (2MB)  
- **Organization:** 2M x 8-bit  
- **Speed:** 90ns access time  
- **Voltage Supply:** 3.0V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 44-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**
- The **MBM29LV017-90PTN** is a **3V-only** flash memory device designed for high-performance, low-power applications.  
- It supports **sector erase** and **byte programming** operations.  
- Compatible with **JEDEC-standard** commands for easy integration.  
- Suitable for embedded systems, networking, and industrial applications.  

### **Features:**
- **Single Voltage Operation:** 3V read, program, and erase.  
- **Fast Access Time:** 90ns.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 20mA (typical)  
  - Standby current: 1µA (typical)  
- **Sector Architecture:**  
  - Sixteen 4K-word (8K-byte) sectors  
  - One 32K-word (64K-byte) sector  
  - One 8K-word (16K-byte) sector  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Write and erase lockout during power transitions.  
- **Automatic Programming & Erase Algorithms:**  
  - Embedded erase and program verification.  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 program/erase cycles (minimum)  
  - Data retention: 20 years (minimum)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

16M (2M X 8) BIT