CMOS 8M (1M x 8) bit The **MBM29F080A-90PTN** is a flash memory chip manufactured by **FUJI**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FUJI  
- **Part Number:** MBM29F080A-90PTN  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 1M x 8 bits  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Supply Voltage:** 5V  
- **Package Type:** PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- The MBM29F080A-90PTN is a **5V-only** flash memory device with a **byte-wide** (x8) configuration.  
- It is designed for **high-performance** applications requiring fast read and write operations.  
- The chip supports **sector erase** and **chip erase** functions for flexible memory management.  

### **Features:**  
- **Single 5V Power Supply** for read, program, and erase operations.  
- **Fast Access Time:** 90 ns.  
- **Sector Erase Architecture:** Allows selective erasure of memory sectors.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 30 mA (typical)  
  - Standby Current: 100 µA (typical)  
- **Reliable Data Retention:** 10 years minimum.  
- **Compatible with JEDEC Standards** for easy integration.  
- **Hardware Write Protection** to prevent accidental data corruption.  

This information is based solely on the provided knowledge base. Let me know if you need further verified details.

CMOS 8M (1M x 8) bit

CMOS 8M (1M x 8) bit The **MBM29F080A-90PTN** is a flash memory chip manufactured by **FUJITSU**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 1M x 8 bits  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**
- **Technology:** CMOS-based flash memory  
- **Architecture:** Sector-erasable (supports both uniform and boot block sector architectures)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 10 years minimum  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 90 ns access time  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30 mA (typical)  
  - Standby current: 100 µA (typical)  
- **Sector Erase Capability:** Supports 16 KB, 8 KB, and 64 KB sectors  
- **Hardware Data Protection:**  
  - VCC detection for write protection  
  - Write inhibit during power transitions  
- **Software Command Set Compatibility:** JEDEC-standard commands  
- **Automatic Programming & Erase Algorithms:** Built-in for simplified operation  

This flash memory is designed for applications requiring non-volatile storage with fast read/write operations, such as embedded systems and firmware storage.

CMOS 8M (1M x 8) bit