32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation **Manufacturer:** FUJITSU  

**Part Number:** MBM29DL324TE-90TN  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash Memory  
- **Density:** 32Mbit (4M x 8-bit / 2M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90ns  
- **Organization:**  
  - **Byte Mode:** 4,194,304 words × 8 bits  
  - **Word Mode:** 2,097,152 words × 16 bits  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- **Simultaneous Read/Write Operation:** Supports read while programming or erasing.  
- **Sector Architecture:** Uniform 64Kbyte sectors.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 20mA (typical)  
  - Standby Current: 1µA (typical)  
- **High-Speed Programming:**  
  - Byte/Word Programming Time: 9µs (typical)  
- **Hardware Data Protection:** Includes WP# (Write Protect) pin for sector protection.  
- **Command Set Compatibility:** JEDEC-standard flash interface.  
- **Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 program/erase cycles per sector  
  - Data Retention: 20 years (typical)  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Automotive electronics  
- Consumer electronics  

This information is based on the FUJITSU datasheet for the MBM29DL324TE-90TN flash memory device.

32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation

32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation The MBM29DL324TE-90TN is a flash memory device manufactured by Fujitsu (FUJI). Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fujitsu (FUJI)  
- **Part Number:** MBM29DL324TE-90TN  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 32 Megabit (4M x 8-bit or 2M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**
- The MBM29DL324TE-90TN is a 32Mbit (4MB) flash memory chip with a flexible architecture supporting both x8 and x16 configurations.  
- It is designed for high-performance, low-power applications requiring non-volatile storage.  
- The device is suitable for embedded systems, industrial applications, and consumer electronics.  

### **Features:**
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 64KB sectors for flexible erase operations.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
- **High-Speed Performance:**  
  - Fast read access time: 90 ns  
  - Page mode read for faster data access.  
- **Reliability & Endurance:**  
  - Minimum 100,000 erase/write cycles per sector.  
  - Data retention: 20 years (typical).  
- **Hardware & Software Protection:**  
  - Sector protection/unprotection via commands or hardware pins.  
  - Built-in write prevention during power transitions.  
- **Compatibility:**  
  - Supports JEDEC-standard commands.  
  - Compatible with Intel/Micron flash command sets.  

This information is based on Fujitsu's documented specifications for the MBM29DL324TE-90TN flash memory device.

32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation