Dual Schottky Barrier Diodes The **MBD110DWT1** is a dual common cathode switching diode manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual Common Cathode Switching Diode  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 80V  
- **Average Rectified Current (IO):** 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 500mA  
- **Forward Voltage (VF):** 1V (at 10mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low leakage current and fast switching characteristics.  
- Suitable for general-purpose rectification and signal processing.  

### **Features:**  
- **Dual Diode Configuration:** Two diodes in a common cathode arrangement.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast response times.  
- **Small Package:** Compact SOT-363 footprint for space-constrained designs.  
- **Low Power Loss:** Efficient performance with minimal forward voltage drop.  

This diode is commonly used in **high-frequency circuits, signal clamping, and protection circuits**.  

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Dual Schottky Barrier Diodes