Memory FRAM The MB85R1002 is a FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) device manufactured by Fujitsu (FUJI). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** FRAM (Non-volatile)  
- **Density:** 1 Mbit (128K × 8 bits)  
- **Interface:** SPI (Serial Peripheral Interface)  
- **Operating Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Write Endurance:** 10 trillion (10^13) read/write cycles  
- **Data Retention:** 10 years at +85°C  
- **Package:** 8-pin SOP (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**
- The MB85R1002 is a high-performance FRAM that combines the benefits of RAM (fast read/write operations) and non-volatile memory (data retention without power).  
- It uses ferroelectric technology for fast write speeds and high endurance compared to traditional EEPROM or Flash memory.  
- The SPI interface allows easy integration with microcontrollers and other embedded systems.  

### **Features:**
- **High-Speed Write Operations:** No write delay, unlike Flash or EEPROM.  
- **Low Power Consumption:** Consumes less power during read/write operations.  
- **No Need for a Backup Battery:** Data is retained without power.  
- **Industrial-Grade Reliability:** Suitable for harsh environments.  
- **Hardware Write Protection:** Supports write protection via a dedicated pin (WP).  
- **Compatible with Standard SPI Commands:** Works with existing SPI protocols.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.