32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM The part **MB84VD22398EJ-85** is manufactured by **Spansion**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Spansion  
- **Part Number:** MB84VD22398EJ-85  
- **Type:** Flash Memory  
- **Density:** Likely 256Mb (exact density may vary; verify datasheet)  
- **Interface:** Parallel (specific interface type should be confirmed)  
- **Voltage Supply:** Likely 3.3V (verify exact voltage range)  
- **Speed Grade:** -85 (possibly 85ns access time)  
- **Package:** TSOP or similar (exact package type should be confirmed)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Non-Volatile Memory:** Retains data without power.  
- **High Reliability:** Designed for industrial or embedded applications.  
- **Parallel Interface:** Supports fast read/write operations.  
- **Compatibility:** May be used in legacy systems requiring Spansion Flash memory.  
- **Extended Temperature Support:** Likely operates in industrial temperature ranges.  

For precise details, consult the official **Spansion datasheet** for **MB84VD22398EJ-85**.

32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM Here are the factual details about the part **MB84VD22398EJ-85** from the manufacturer **FUJITSU**:

### **Specifications:**
- **Part Number:** MB84VD22398EJ-85  
- **Manufacturer:** FUJITSU  
- **Type:** FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)  
- **Density:** 4 Mbit (512K × 8)  
- **Interface:** Parallel  
- **Supply Voltage:** 3.0V to 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Access Time:** 85 ns  
- **Package:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Endurance:** 10 trillion read/write cycles  
- **Data Retention:** 10 years (at 85°C)  

### **Descriptions:**
- **Technology:** Non-volatile memory with high-speed read/write performance  
- **Applications:** Suitable for industrial, automotive, and embedded systems requiring frequent data updates  
- **Reliability:** High endurance and long data retention compared to traditional EEPROM or Flash  

### **Features:**
- **Fast Write Speed:** No write delay, unlike Flash or EEPROM  
- **Low Power Consumption:** Ideal for battery-powered devices  
- **High Noise Immunity:** Robust against electrical disturbances  
- **Overwrite Capability:** Supports unlimited in-system writes  
- **Compatibility:** Parallel interface for easy integration  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.