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MB84VD22387EJ-90 from FUJITSU,Fujitsu Microelectronics

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MB84VD22387EJ-90

Manufacturer: FUJITSU

32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MB84VD22387EJ-90,MB84VD22387EJ90 FUJITSU 259 In Stock

Description and Introduction

32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM The part **MB84VD22387EJ-90** is manufactured by **FUJITSU**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** MB84VD22387EJ-90  
- **Manufacturer:** FUJITSU  
- **Type:** FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)  
- **Density:** 2Mbit (256K x 8)  
- **Interface:** Parallel  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Access Time:** 90ns  
- **Package:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- Non-volatile memory with high-speed read/write operations.  
- Combines the benefits of SRAM and Flash memory.  
- Low power consumption compared to traditional EEPROM or Flash.  
- High endurance (10^12 read/write cycles).  

### **Features:**  
- **Fast Write Speed:** No write delays, unlike Flash memory.  
- **High Reliability:** Data retention of over 10 years.  
- **Low Power Operation:** Suitable for battery-powered applications.  
- **No Need for Backup Battery:** Unlike SRAM, retains data without power.  
- **Industrial-Grade:** Operates in harsh environments (-40°C to +85°C).  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further details.

Application Scenarios & Design Considerations

32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM # Technical Documentation: MB84VD22387EJ90 Non-Volatile Memory IC

 Manufacturer : FUJITSU  
 Component Type : 2-Mbit (256K x 8-bit) FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)  
 Document Version : 1.0  
 Date : October 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The MB84VD22387EJ90 is a serial-interface FRAM designed for applications requiring high-speed, high-endurance non-volatile data storage with low power consumption. Its core architecture combines the fast read/write characteristics of SRAM with the non-volatility of EEPROM or Flash, eliminating the need for a complex write sequence or polling for completion.

*    Frequent Data Logging : Ideal for recording event counters, sensor readings (temperature, pressure, position), and transaction logs in real-time. Unlike EEPROM or Flash, it can write data at bus speed without a delay, enabling capture of high-frequency events.
*    Parameter Storage : Used to store calibration constants, configuration settings, and system parameters that may require periodic updates. The near-unlimited write endurance (10^14 cycles) ensures reliability over the product's lifetime.
*    Session Backup & Recovery : Provides a robust mechanism for saving system state (e.g., in meters, industrial controllers, or medical devices) during unexpected power loss, thanks to its fast write capability and true non-volatility.
*    Replacement for Battery-Backed SRAM (BBSRAM) : Directly replaces BBSRAM modules, eliminating the need for a battery, associated circuitry, and maintenance concerns, while simplifying board design.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Automation & Control : Programmable Logic Controllers (PLCs), sensor modules, and motor drives use it for storing production data, fault logs, and machine parameters in harsh environments where reliability is critical.
*    Automotive Electronics : Employed in telematics, advanced driver-assistance systems (ADAS) for event data recording, and body control modules for storing odometer data and user settings. It meets the requirements for performance across automotive temperature ranges.
*    Medical Devices : Used in portable monitors, infusion pumps, and diagnostic equipment for storing patient data, device usage history, and calibration data, where data integrity and reliability are paramount.
*    Smart Metering (Electricity/Gas/Water) : Essential for storing cumulative consumption data, time-of-use records, and tamper detection logs. Its high endurance supports the constant writing needed for metering data without wear-out.
*    Consumer Electronics : Applied in smart appliances, professional audio/video equipment, and gaming systems for storing user preferences, system setup, and usage history.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    High Endurance : 10^14 read/write cycles, significantly outperforming EEPROM (~10^5 cycles) and Flash (~10^4 cycles).
*    Fast Write Speed : Writes data at bus speed (up to 25 MHz SPI clock). No write delay or page buffer management is required.
*    Low Power Operation : Lower active and standby current compared to many EEPROMs. No high-voltage charge pump is needed for writes.
*    High Reliability : Robust against magnetic fields and radiation, with a long data retention period (>10 years at 85°C).
*    Simplified Software : No need for erase-before-write operations, complex sector management, or write-cycle wear-leveling algorithms.

 Limitations: 
*    Density & Cost : Available densities are generally lower than mainstream Flash memory, and cost-per-bit is typically higher, making it less suitable for bulk code or media storage.
*    Interface Options : Primarily available in serial interfaces (

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