IC Phoenix logo

Home ›  M  › M90 > MB82D01171A-80LLPBN

MB82D01171A-80LLPBN from FUJ

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

MB82D01171A-80LLPBN

Manufacturer: FUJ

16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MB82D01171A-80LLPBN,MB82D01171A80LLPBN FUJ 90 In Stock

Description and Introduction

16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory **Part Number:** MB82D01171A-80LLPBN  
**Manufacturer:** FUJ (Fujitsu)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Memory IC (Integrated Circuit)  
- **Package:** LLP (Leadless Leadframe Package)  
- **Speed Grade:** -80 (80ns access time)  
- **Density:** Likely a low-density SRAM or specialized memory component (exact density not specified in the KB).  
- **Operating Voltage:** Standard for Fujitsu memory ICs (typically 3.3V or 5V, but exact value not confirmed in the KB).  
- **Temperature Range:** Industrial or commercial grade (specifics not provided in the KB).  

### **Descriptions & Features:**  
- **Application:** Likely used in embedded systems, networking, or industrial electronics where Fujitsu memory ICs are common.  
- **Reliability:** Fujitsu components are known for high reliability and low power consumption.  
- **Package Details:** LLPBN indicates a leadless package with specific pin configuration (exact pin count not specified in the KB).  

**Note:** For precise technical details (e.g., timing diagrams, voltage tolerances), consult the official Fujitsu datasheet or product documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory # Technical Documentation: MB82D01171A80LLPBN
 Manufacturer : FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The MB82D01171A80LLPBN is a high-performance, low-power synchronous DRAM (SDRAM) module designed for embedded systems requiring reliable, high-bandwidth memory. Its primary use cases include:

*    Data Buffering and Caching:  Serving as a high-speed buffer in digital signal processors (DSPs) and application processors to temporarily hold data for rapid access, reducing latency in computation-intensive tasks.
*    Frame Buffer Memory:  Acting as the primary frame buffer in display controllers and graphics processing units (GPUs) for consumer electronics, industrial HMIs, and automotive infotainment systems, enabling smooth video playback and GUI rendering.
*    Working Memory for Embedded Processors:  Providing the main system RAM for mid-to-high-end microcontrollers (MCUs) and system-on-chips (SoCs) in applications where large, volatile working memory is essential for complex operating systems or application code.

### 1.2 Industry Applications
This component finds application across several technology sectors:

*    Automotive:  Used in advanced driver-assistance systems (ADAS), digital instrument clusters, and in-vehicle entertainment units. Its robustness (typically qualified for extended temperature ranges) supports the demanding automotive environment.
*    Industrial Automation & Control:  Employed in programmable logic controllers (PLCs), industrial PCs, and robotics control systems where deterministic performance and reliability are critical.
*    Networking & Telecommunications:  Integrated into routers, switches, and baseband units to handle high-speed packet buffering and data plane processing.
*    Consumer Electronics:  Found in smart TVs, set-top boxes, digital signage, and premium audio/video equipment.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Bandwidth:  Synchronous operation with the system clock allows for pipelined commands and burst data transfers, maximizing data throughput.
*    Low Power Consumption:  Features like partial array self-refresh (PASR) and deep power-down modes significantly reduce active and standby power, crucial for battery-powered or energy-sensitive designs.
*    Compact Form Factor:  The LLPB (Leadless Leadframe Package) offers a small footprint and low profile, ideal for space-constrained PCB designs.
*    Predictable Latency:  Controlled timing parameters (tRCD, tRP, CL) allow for precise system timing analysis.

 Limitations: 
*    Volatility:  Requires constant power and periodic refresh cycles to retain data, necessitating a backup power strategy or non-volatile storage for critical data.
*    Controller Complexity:  Requires a dedicated SDRAM memory controller for proper initialization, command sequencing, and refresh management, increasing system design complexity.
*    Signal Integrity Sensitivity:  High-speed operation makes the interface susceptible to noise, crosstalk, and timing skew, demanding careful PCB layout.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Improper Initialization Sequence.  Skipping or incorrectly ordering the power-up and load mode register commands leads to unstable operation.
    *    Solution:  Strictly follow the manufacturer's recommended initialization flowchart in the controller firmware. Ensure stable power and clock before starting the sequence.
*    Pitfall 2: Ignoring Refresh Requirements.  Failing to issue auto-refresh commands within the specified refresh interval (tREFI) results in data loss.
    *    Solution:  Implement a reliable refresh timer interrupt in the memory controller or use a controller with an integrated auto-refresh mechanism.
*    Pitfall 3: Violating Timing Parameters.  Operating the memory with setup/hold time violations or exceeding access

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MB82D01171A-80LLPBN,MB82D01171A80LLPBN FUJITSU 720 In Stock

Description and Introduction

16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory **Part Number:** MB82D01171A-80LLPBN  
**Manufacturer:** FUJITSU  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 128Mbit  
- **Organization:** 8M words × 16 bits  
- **Speed Grade:** -80 (80ns access time)  
- **Package:** LLPBN (Low-Profile Leadless Plastic BGA)  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Interface:** Synchronous (SDRAM)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh supported  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  

### **Descriptions:**  
- A high-speed synchronous DRAM designed for applications requiring efficient data processing.  
- Suitable for embedded systems, networking devices, and consumer electronics.  
- Features a low-power design with auto power-down mode.  

### **Features:**  
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Burst Read/Write:** Supports sequential data access for improved performance.  
- **Low Power Consumption:** Includes power-saving modes.  
- **Wide Temperature Range:** Operates reliably in industrial environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

*(Note: For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official FUJITSU datasheet.)*

Application Scenarios & Design Considerations

16 Mbit (1 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory # Technical Documentation: MB82D01171A80LLPBN
 Manufacturer : FUJITSU

## 1. Application Scenarios

### 1.1. Typical Use Cases
The MB82D01171A80LLPBN is a specialized memory controller or buffer IC, designed primarily for high-performance computing and data-intensive applications. Its core function is to manage data flow between a host processor and memory modules, optimizing bandwidth and ensuring signal integrity.

*    High-Speed Data Buffering : Acts as an intermediary in memory subsystems, re-driving and re-timing signals to extend the operational distance and fan-out of memory channels. This is critical in systems where the CPU or memory controller is physically distant from the memory modules.
*    Load Reduction and Signal Isolation : Presents a consistent electrical load to the host memory controller, simplifying its design. It isolates the controller from the variable impedance and capacitive loading presented by multiple DRAM modules, improving signal quality and timing margins.
*    Clock and Command/Address (C/A) Distribution : In multi-DIMM (Dual In-line Memory Module) configurations, it buffers and distributes clock and C/A signals with minimal skew, ensuring synchronous operation across all connected memory devices.

### 1.2. Industry Applications
This component is integral to systems requiring robust, high-capacity memory subsystems.

*    Enterprise Servers and Data Centers : Used in server motherboards and blade servers to support large arrays of DDR3 or DDR4 SDRAM DIMMs, enabling high memory capacity essential for virtualization, database management, and cloud computing.
*    High-End Networking Equipment : Found in routers, switches, and network interface cards that require high-bandwidth, low-latency buffers for packet buffering and lookup tables.
*    Telecommunications Infrastructure : Supports memory-intensive processing in base station controllers and core network elements.
*    Industrial Computing and Embedded Systems : Employed in applications like medical imaging, aerospace, and simulation platforms where reliable, high-throughput data handling is paramount.

### 1.3. Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Enhanced Signal Integrity : Extends the viable trace length for memory buses, allowing for more flexible PCB layouts and higher module counts.
*    Increased Memory Capacity : By managing electrical loads, it enables the use of more memory modules per channel than a CPU's integrated memory controller could typically support directly.
*    Improved System Reliability : Reduces timing errors and signal degradation, leading to greater system stability, especially under heavy load or in thermally challenging environments.
*    Design Flexibility : Allows system architects to decouple processor and memory placement constraints.

 Limitations: 
*    Added Latency : The buffering process introduces a fixed, additional latency (typically one or more clock cycles) to memory access, which can impact performance in latency-sensitive applications.
*    Power Consumption and Heat Dissipation : As an active component, it consumes power and generates heat, requiring consideration in thermal and power budget designs.
*    Cost and Complexity : Adds both component cost and design complexity (e.g., need for separate power supplies, more intricate PCB routing) compared to direct-attach memory architectures.
*    Compatibility Constraints : Must be meticulously matched to the specific memory technology (e.g., DDR3 speed bin) and host controller specifications.

## 2. Design Considerations

### 2.1. Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Improper Power Sequencing.  The buffer IC and its associated power rails (VDD, VTT) must follow a strict sequence relative to the host controller and DRAM power-up.
    *    Solution:  Implement a dedicated power management IC (PMIC) or sequencer that adheres to the manufacturer's recommended power-on-reset (POR) sequence detailed in the datasheet.
*    Pitfall 2:

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips