512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 256 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V Supply, Multi-Chip Package Here are the factual details about part **M39P0R9080E0ZADF** from the manufacturer **ST**:

### **Specifications:**
1. **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
2. **Part Number:** M39P0R9080E0ZADF  
3. **Memory Type:** Flash  
4. **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
5. **Interface:** SPI (Serial Peripheral Interface)  
6. **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
7. **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
8. **Speed:** Up to 50 MHz  
9. **Sector Size:** Configurable (4 KB, 32 KB, 64 KB)  
10. **Package:** SO8 (150 mil)  

### **Descriptions:**
- The **M39P0R9080E0ZADF** is a **SPI Flash memory** device from STMicroelectronics.  
- It provides **non-volatile storage** with **high-speed read operations**.  
- Supports **sector erase, block erase, and full chip erase** functionalities.  
- Features **low power consumption** in both active and standby modes.  
- Designed for **industrial and consumer applications** requiring reliable data storage.  

### **Features:**
- **SPI-compatible interface** (Mode 0 and Mode 3)  
- **Deep Power-Down Mode** for ultra-low power consumption  
- **Software and Hardware Write Protection**  
- **Fast Read (up to 50 MHz clock frequency)**  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  
- **Industrial-grade reliability**  

This information is based on ST's official documentation for the **M39P0R9080E0ZADF** part. For further details, refer to the datasheet from STMicroelectronics.

512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 256 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V Supply, Multi-Chip Package