**Part Number:** MAZ8047M  

**Specifications:**  
- **Type:** High-frequency transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1W  
- **Transition Frequency (ft):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

**Descriptions:**  
The MAZ8047M is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for high-frequency amplification and switching applications. It is commonly used in consumer electronics, communication devices, and small signal circuits.  

**Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low noise performance  
- Fast switching speed  
- Compact TO-92 package for easy mounting  
- Suitable for small-signal amplification and switching  

This information is based on available technical data for the MAZ8047M transistor from Panasonic.