IC Phoenix logo

Home ›  M  › M8 > M36L0T7050B2ZAQF

M36L0T7050B2ZAQF from ST,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

M36L0T7050B2ZAQF

Manufacturer: ST

128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M36L0T7050B2ZAQF ST 10000 In Stock

Description and Introduction

128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package The part **M36L0T7050B2ZAQF** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** M36L0T7050B2ZAQF  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Interface:** Parallel  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TFBGA (Thin Fine-Pitch Ball Grid Array)  

### **Descriptions:**  
- A **parallel NOR Flash memory** device designed for high-performance embedded applications.  
- Suitable for **code storage and execution in place (XIP)** due to fast read access.  
- Supports **asynchronous and burst read modes** for efficient data retrieval.  

### **Features:**  
- **Fast access time** (typical 70 ns).  
- **Low power consumption** in active and standby modes.  
- **Sector erase capability** (uniform or non-uniform sectors).  
- **Hardware and software data protection** for secure operation.  
- **Compatible with JEDEC standards** for reliability.  

For exact datasheet details, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.

Application Scenarios & Design Considerations

128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package # Technical Documentation: M36L0T7050B2ZAQF 8-Mbit Serial Flash Memory

 Manufacturer : STMicroelectronics
 Component Type : 8-Mbit (1M x 8) Serial Flash Memory with 4KB Sectors and Uniform 256-Byte Subsectors
 Package : SO8N (150-mil)
 Interface : SPI (Serial Peripheral Interface) with Multi-I/O Support

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The M36L0T7050B2ZAQF is a low-power, high-reliability serial flash memory designed for embedded systems requiring non-volatile data storage. Its primary use cases include:

*    Firmware Storage and Execution (XIP) : Stores application code for microcontrollers (MCUs) and microprocessors (MPUs). Its fast read performance and Execute-in-Place (XIP) capability via Continuous Read mode allow CPUs to run code directly from the flash, reducing RAM footprint.
*    Data Logging : Ideal for storing sensor data, event logs, and system configuration parameters in industrial, automotive, and consumer applications due to its 4KB erasable sectors and 256-byte programmable subsectors.
*    Boot Memory : Serves as a primary or secondary boot device in systems requiring reliable initialization code storage.
*    Over-the-Air (OTA) Updates : The sector-erasable architecture facilitates safe firmware updates by allowing new code to be written to an alternate sector before swapping execution pointers.

### Industry Applications
*    Automotive : Infotainment systems, instrument clusters, telematics control units (TCUs), and advanced driver-assistance systems (ADAS) for storing calibration data, graphics assets, and event logs. It meets extended temperature range requirements.
*    Industrial Automation & IoT : Programmable logic controllers (PLCs), smart meters, industrial sensors, and gateway devices for parameter storage and data buffering.
*    Consumer Electronics : Smart home devices, wearables, printers, and set-top boxes for firmware and user data.
*    Medical Devices : Portable monitors and diagnostic equipment where reliable, low-power non-volatile storage is critical.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Power Consumption : Features deep power-down mode (typically 1 µA) and standby current (typically 5 µA), crucial for battery-powered applications.
*    High Reliability : Guaranteed 100,000 erase/program cycles per sector and 20-year data retention. Supports advanced security features like block protection and a 64-bit Unique ID.
*    Flexible Architecture : Uniform 256-byte subsectors allow efficient storage of small, frequently updated data packets without wasting large sectors.
*    High-Speed Interface : Supports SPI clock frequencies up to 80 MHz in Single I/O mode and equivalent data rates up to 160 MBit/s in Quad I/O mode, enabling fast read operations.
*    Small Form Factor : SO8N package saves PCB space.

 Limitations: 
*    Finite Endurance : Like all NOR flash, it has a limited number of erase/write cycles (100k), making it unsuitable for applications requiring constant, high-frequency writes (e.g., SSD-like storage).
*    Sequential Write Speed : While read speeds are high, write and erase operations (Byte/Page Program: 0.5 ms typical, Sector Erase: 50 ms typical) are orders of magnitude slower. System design must account for these latencies.
*    Interface Complexity for High Speed : Utilizing Quad I/O mode for maximum throughput requires more GPIO pins from the host controller and more complex driver software compared to standard SPI.

---

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
1.   Power Sequencing During Writes :
    *    P

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips