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M2V56S20AKT-6 from MIT

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M2V56S20AKT-6

Manufacturer: MIT

256M Synchronous DRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M2V56S20AKT-6,M2V56S20AKT6 MIT 480 In Stock

Description and Introduction

256M Synchronous DRAM The part **M2V56S20AKT-6** is a memory module manufactured by **MIT (Memory Integration Technology)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR2 SDRAM  
- **Capacity:** 512MB  
- **Organization:** 64M x 8 (8-bit)  
- **Speed:** 533MHz (PC2-4200)  
- **Voltage:** 1.8V  
- **CAS Latency (CL):** 6  
- **Form Factor:** 200-pin SODIMM  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for notebook and embedded systems.  
- Low power consumption with 1.8V operation.  
- JEDEC-compliant for reliability.  
- RoHS compliant (lead-free).  
- Unbuffered, non-ECC memory module.  

This module is typically used in laptops and small-form-factor computing devices requiring DDR2 memory.

Application Scenarios & Design Considerations

256M Synchronous DRAM # Technical Documentation: M2V56S20AKT6 Memory Module

 Manufacturer : MIT  
 Component Type : DDR2 SDRAM Module  
 Last Updated : October 2023  

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## 1. Application Scenarios (45% of content)

### 1.1 Typical Use Cases

The M2V56S20AKT6 is a 512MB DDR2-800 (PC2-6400) SDRAM module designed for systems requiring moderate memory bandwidth with power efficiency. Its primary applications include:

-  Legacy Desktop Systems : Ideal for older PCs and workstations still utilizing DDR2 architecture, particularly those built between 2004-2010
-  Industrial Control Systems : Embedded applications where long-term availability and temperature stability are prioritized over maximum performance
-  Point-of-Sale Terminals : Retail systems requiring reliable, non-volatile memory for transaction processing
-  Medical Monitoring Equipment : Devices where component reliability and predictable performance outweigh the need for cutting-edge speed
-  Network Attached Storage (NAS) : Lower-end storage solutions where DDR2 provides sufficient bandwidth for file serving operations

### 1.2 Industry Applications

 Industrial Automation :  
The module's extended temperature tolerance (-40°C to +85°C industrial grade variants) makes it suitable for factory automation controllers, PLCs, and HMI systems operating in harsh environments. The predictable latency of DDR2 architecture benefits real-time control applications.

 Telecommunications Infrastructure :  
Used in legacy telecom equipment including older switches, routers, and base station controllers where system longevity and component availability are critical considerations.

 Embedded Computing :  
Single-board computers and embedded motherboards in transportation, military, and aerospace applications benefit from the module's mature technology and proven reliability record.

 Digital Signage and Kiosks :  
Public information displays and interactive kiosks where 512MB capacity is sufficient for content buffering and application execution.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Proven Reliability : DDR2 technology has extensive field history with well-understood failure modes
-  Power Efficiency : 1.8V operation (compared to DDR's 2.5V) reduces system power consumption by approximately 50%
-  Thermal Management : Lower operating voltage generates less heat, simplifying cooling requirements
-  Cost Effectiveness : Economical solution for extending the lifecycle of legacy systems
-  Signal Integrity : On-Die Termination (ODT) improves signal quality without external components

 Limitations: 
-  Bandwidth Constraints : Maximum 6.4GB/s theoretical bandwidth limits performance in data-intensive applications
-  Capacity Limitations : 512MB maximum per module restricts total system memory in modern applications
-  Availability Concerns : Being a legacy technology, long-term supply may become constrained
-  Compatibility Issues : Not backward compatible with DDR or forward compatible with DDR3/DDR4
-  Latency : Higher CAS latencies (typically CL5-6) compared to newer memory technologies

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## 2. Design Considerations (35% of content)

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Incorrect Voltage Regulation   
*Problem*: DDR2 requires precise 1.8V ±0.1V. Using DDR3 (1.5V) or DDR (2.5V) voltage regulators causes malfunction.  
*Solution*: Implement dedicated 1.8V switching regulator with ±2% tolerance. Include voltage monitoring circuit with automatic shutdown if voltage drifts beyond ±5%.

 Pitfall 2: Improper Termination   
*Problem*: Signal reflections on unterminated lines cause data corruption at higher frequencies.  
*Solution*: Utilize motherboard-provided termination or implement external termination resistors (typically 75Ω) for custom designs. Enable ODT in BIOS settings.

 Pitfall 3

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