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M2V28S40ATP-6L from MIT

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M2V28S40ATP-6L

Manufacturer: MIT

128M Synchronous DRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M2V28S40ATP-6L,M2V28S40ATP6L MIT 500 In Stock

Description and Introduction

128M Synchronous DRAM The part **M2V28S40ATP-6L** is manufactured by **MIT (Memory & Interface Technology)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 256Mb  
- **Organization:** 4M x 64-bit  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 166MHz (6ns cycle time)  
- **Package:** 86-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-performance computing and networking applications.  
- Supports burst read and write operations.  
- Compatible with JEDEC standards.  

### **Features:**  
- **Auto Refresh & Self Refresh**  
- **Programmable Burst Length (1, 2, 4, 8, or full page)**  
- **CAS Latency Options (2, 3 cycles)**  
- **Low Power Consumption**  
- **Single 3.3V Power Supply**  

This part is optimized for applications requiring reliable, high-speed memory access.

Application Scenarios & Design Considerations

128M Synchronous DRAM # Technical Documentation: M2V28S40ATP6L Memory Module

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The M2V28S40ATP6L is a high-performance DDR4 memory module designed for enterprise and data center applications. This 4GB DDR4-2800 registered ECC DIMM operates at 1.2V with a 40-bit data bus (32 data bits + 8 ECC bits). Its primary use cases include:

-  Server Main Memory : Deployed in rack-mounted and blade servers requiring reliable, high-bandwidth memory for virtualization, database management, and application hosting
-  Cloud Infrastructure : Supports cloud service providers running multi-tenant environments with demanding memory bandwidth requirements
-  High-Performance Computing : Utilized in scientific computing clusters where data integrity and throughput are critical
-  Enterprise Storage Systems : Integrated into storage area networks (SAN) and network-attached storage (NAS) controllers for caching operations

### Industry Applications
-  Telecommunications : 5G network infrastructure equipment requiring low-latency, high-reliability memory for packet processing
-  Financial Services : Trading platforms and transaction processing systems where data integrity is paramount
-  Healthcare IT : Medical imaging systems and electronic health record databases requiring continuous operation
-  Industrial Automation : Control systems for manufacturing and process industries with 24/7 operational requirements

### Practical Advantages
-  Enhanced Reliability : Error Correction Code (ECC) detects and corrects single-bit errors, preventing system crashes and data corruption
-  High Bandwidth : 2800 MT/s data rate provides 22.4 GB/s theoretical bandwidth per module
-  Power Efficiency : 1.2V operation reduces power consumption compared to previous DDR3 generations
-  Thermal Management : Standard thermal sensor interface enables proactive temperature monitoring
-  Scalability : Registered design supports higher memory capacities in multi-DIMM configurations

### Limitations
-  Latency : Registered/buffered design adds approximately one clock cycle of latency compared to unbuffered DIMMs
-  Cost Premium : ECC and registered features increase component cost versus consumer-grade memory
-  Compatibility : Requires specific motherboard support for registered ECC DIMMs
-  Power Sequencing : Demands precise power-up/down sequencing to prevent damage

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Integrity Issues 
- *Problem*: Voltage droop during simultaneous switching output (SSO) events causing timing violations
- *Solution*: Implement dedicated power planes with adequate decoupling capacitors (0.1μF and 10μF combinations) near power pins

 Signal Integrity Challenges 
- *Problem*: Signal reflections and crosstalk in high-speed data buses
- *Solution*:
  - Maintain controlled impedance (40Ω ±10% for single-ended signals)
  - Implement length matching for data lanes (±5 mil tolerance)
  - Use ground shields between critical signal groups

 Thermal Management 
- *Problem*: Insufficient cooling leading to throttling or reliability degradation
- *Solution*:
  - Ensure minimum 1.5 m/s airflow across DIMM surfaces
  - Implement temperature monitoring via SMBus interface
  - Consider airflow-optimized DIMM spacing (≥8mm between modules)

### Compatibility Issues
-  Processor Compatibility : Requires Intel Xeon Scalable, AMD EPYC, or equivalent server processors with DDR4 RDIMM support
-  Platform Limitations : Not compatible with consumer desktop platforms (Intel Core, AMD Ryzen)
-  Mixed Population : Avoid mixing with LRDIMMs or non-ECC UDIMMs in same channel
-  Speed Matching : All DIMMs in a channel should operate at same speed; system will throttle to slowest module

### PCB Layout Recommendations

 Stackup Design 
```
Layer 1: Signal (top

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