IC Phoenix logo

Home ›  M  › M6 > M29W010B90K6T

M29W010B90K6T from ST,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

M29W010B90K6T

Manufacturer: ST

1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M29W010B90K6T ST 4130 In Stock

Description and Introduction

1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory The **M29W010B90K6T** is a 1 Mbit (128Kb x8) Flash memory manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Size:** 1 Mbit (128Kb x8)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP48 (Thin Small Outline Package, 48 pins)  
- **Technology:** NOR Flash Memory  

### **Descriptions:**
- The **M29W010B90K6T** is a single 5V supply Flash memory with a uniform 16KB sector architecture.  
- It supports **asynchronous read operations** and **program/erase operations** with a command interface.  
- Designed for embedded systems requiring non-volatile storage.  

### **Features:**
- **Sector Erase Capability:** 16KB uniform sectors for flexible erase operations.  
- **Low Power Consumption:** Standby and automatic sleep modes reduce power usage.  
- **Hardware Data Protection:** Prevents accidental writes.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout and command set.  
- **Endurance:** Minimum 100,000 erase/program cycles per sector.  
- **Data Retention:** Up to 20 years.  

This Flash memory is commonly used in industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

(Source: STMicroelectronics datasheet for M29W010B series.)

Application Scenarios & Design Considerations

1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory# Technical Documentation: M29W010B90K6T Flash Memory

 Manufacturer : STMicroelectronics
 Component Type : 1-Mbit (128K x 8) Boot Block Flash Memory
 Technology : 0.18 µm NOR Flash
 Package : TSOP48 (12 x 20 mm)

---

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The M29W010B90K6T is a 1-Mbit NOR Flash memory designed for embedded systems requiring non-volatile code storage and data retention. Its primary use cases include:

*    Boot Code Storage : The boot block architecture provides a hardware-lockable 16-Kbyte boot block at the top or bottom of the memory array, making it ideal for storing critical bootloader and BIOS code that must be protected from accidental erasure or corruption during in-system firmware updates.
*    Firmware/Application Code Storage : The main memory array is used to store the main application firmware, operating system kernels, or configuration data in devices such as set-top boxes, network routers, and industrial controllers.
*    Parameter and Configuration Storage : Used to hold system calibration data, user settings, and network parameters that must persist through power cycles.

### Industry Applications
This component is deployed across several industries due to its reliability, endurance, and ease of integration:

*    Consumer Electronics : Found in digital TVs, printers, and home automation controllers for firmware and feature updates.
*    Telecommunications : Used in modems, routers, and switches for storing boot code and network management firmware.
*    Industrial Automation : Employed in PLCs (Programmable Logic Controllers), sensor interfaces, and human-machine interfaces (HMIs) where robust and reliable non-volatile storage is critical.
*    Automotive (Non-Critical Systems) : Suitable for infotainment systems and body control modules, though not typically for safety-critical applications requiring AEC-Q100 qualification (this specific part is not automotive-grade).

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Boot Block Protection : Hardware-controlled lockable boot block enhances system security and reliability.
*    Low Power Consumption : Typical active current of 15 mA and deep power-down mode current of 1 µA make it suitable for power-sensitive designs.
*    Fast Read Access : 90 ns access time enables efficient execution-in-place (XIP) for code, reducing the need for shadowing in RAM.
*    Standard Interface : Uses a simple asynchronous SRAM-like parallel interface (address/data bus, control pins: ~CE, ~OE, ~WE), ensuring easy integration with most microcontrollers and processors.
*    High Endurance : Minimum 100,000 program/erase cycles per sector, sufficient for most firmware update scenarios.

 Limitations: 
*    Density : At 1 Mbit, it is a lower-density solution. Modern applications often require 16 Mbit or higher, making this part suitable for legacy designs or simpler systems.
*    Parallel Interface : The 48-pin TSOP package and parallel bus consume more PCB space and I/O pins compared to modern serial (SPI) Flash memories.
*    Write/Erase Speed : Block erase times (typical 1 second for full chip) and byte programming times (typical 20 µs) are slow compared to the read speed, which can impact firmware update duration.
*    Voltage Range : Operates at a single 2.7V - 3.6V supply. It is not a wide-voltage (e.g., 1.8V) or dual-voltage part, limiting its use in mixed-voltage systems without level shifters.

---

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Unintended Writes During Power Transitions.   
     

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips