IC Phoenix logo

Home ›  M  › M6 > M29W010B-90N1T

M29W010B-90N1T from ST,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

M29W010B-90N1T

Manufacturer: ST

1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M29W010B-90N1T,M29W010B90N1T ST 5120 In Stock

Description and Introduction

1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory The M29W010B-90N1T is a 1 Mbit (128Kb x8) Flash memory manufactured by STMicroelectronics (ST).  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 1 Mbit (128Kb x8)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP-32 (Thin Small Outline Package)  
- **Technology:** NOR Flash  
- **Sector Architecture:**  
  - 16 uniform sectors (8 KWord each)  
  - Supports sector erase  
- **Data Retention:** 20 years  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: 100 µA (max)  
  - Active read current: 25 mA (typical)  
- **Command-Based Interface:** Supports JEDEC-standard commands for read, program, and erase operations.  
- **Hardware Data Protection:**  
  - VPP (programming voltage) pin for additional security  
  - Reset pin for device initialization  
- **Software Data Protection:** Prevents accidental writes.  
- **Compatibility:** Fully backward compatible with earlier M29W010A devices.  
- **Applications:** Embedded systems, automotive, industrial controls, and consumer electronics.  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the M29W010B-90N1T Flash memory.

Application Scenarios & Design Considerations

1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory# Technical Documentation: M29W010B90N1T Flash Memory

 Manufacturer : STMicroelectronics
 Component Type : 1-Megabit (128K x 8) CMOS Single Voltage Flash Memory
 Revision : 1.0

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The M29W010B90N1T is a 1Mb parallel NOR Flash memory designed for embedded systems requiring non-volatile code and data storage. Its primary use cases include:

*    Boot Code Storage : Frequently employed as a boot ROM in microcontroller-based systems. Its fast random access and reliable read performance make it ideal for storing initial bootloader code that is executed directly from the memory (XIP - eXecute In Place).
*    Firmware/Application Code Storage : Used to store the main operating firmware for devices in consumer electronics, industrial controllers, and telecommunications equipment. Its sector architecture allows for efficient field firmware updates.
*    Parameter and Configuration Data Storage : Suitable for storing device calibration data, network parameters, user settings, and other semi-static information that must be retained after power loss.
*    Program Shadowing : In some systems, code is copied ("shadowed") from the slower Flash into RAM for faster execution. This device serves as the primary, non-volatile source.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Automation : Programmable Logic Controllers (PLCs), sensor interfaces, and human-machine interface (HMI) panels for storing control logic and configuration.
*    Consumer Electronics : Set-top boxes, printers, routers, and home automation devices for firmware and font/logo storage.
*    Automotive (Non-Critical) : Infotainment systems, dashboard displays, and body control modules (for non-safety-critical data storage, noting temperature range limitations).
*    Telecommunications : Network switches, routers, and modems for boot code and operational firmware.
*    Medical Devices : Patient monitoring equipment and diagnostic tools for storing operational software and calibration tables.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Single Voltage Operation (2.7V - 3.6V) : Simplifies power supply design by eliminating the need for a separate, high-voltage programming supply.
*    Sector Erase Architecture : Organized into 16 uniform 4Kbyte sectors and 8 uniform 8Kbyte sectors, providing flexible erase granularity for code and data storage.
*    Low Power Consumption : Features deep power-down and standby modes, crucial for battery-powered or energy-sensitive applications.
*    High Reliability : Endorsed with 100,000 program/erase cycles per sector minimum and 20-year data retention, ensuring long-term durability.
*    JEDEC Standard Pinout and Command Set : Ensures a degree of compatibility and ease of replacement with similar devices from other manufacturers, simplifying design-in and sourcing.

 Limitations: 
*    Density (1Mb) : Limited storage capacity by modern standards, making it unsuitable for applications requiring large amounts of data (e.g., rich graphics, audio files, extensive databases).
*    Parallel Interface : The 8-bit parallel data bus consumes more PCB traces and microcontroller pins compared to serial (SPI) Flash memories, increasing board complexity and cost in pin-constrained designs.
*    Erase/Write Speed : While read access is fast (90ns), block erase and byte programming times are in the millisecond range, which can be a bottleneck during in-system firmware updates.
*    Operating Temperature Range (Commercial/Industrial) : Typically rated for 0°C to 70°C (commercial) or -40°C to 85°C (industrial). Not suitable for extended automotive or military temperature ranges without specific qualification.

---

## 2. Design Considerations

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips