128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory The **M29DW128G60ZA6E** is a flash memory device manufactured by **Numonyx**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
- **Numonyx**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Organization:**  
  - 16,777,216 words × 8 bits  
  - 8,388,608 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V to 3.6V  
  - **VIO (I/O):** 1.65V to 3.6V  
- **Speed:**  
  - **Access Time:** 60 ns  
  - **Page Read Mode:** 25 ns  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **Industrial:** -40°C to +85°C  
- **Package:**  
  - **TSOP (Thin Small Outline Package)**  
  - 56-pin  

### **Features:**  
- **Dual Bank Architecture:**  
  - Two 64 Mbit banks for simultaneous read/write operations.  
- **Flexible Sector Protection:**  
  - Hardware and software locking mechanisms for data security.  
- **Advanced Sector Architecture:**  
  - **Uniform Sectors:** 128 KB sectors (128 total).  
  - **Additional Small Sectors:** 4 KB (bottom/top boot options).  
- **High Performance:**  
  - **Fast Page Mode Read:** Improves sequential read speeds.  
  - **Program/Erase Times:**  
    - **Byte/Word Program:** 9 µs (typical)  
    - **Sector Erase:** 0.7 s (typical)  
    - **Chip Erase:** 15 s (typical)  
- **Low Power Consumption:**  
  - **Active Read Current:** 15 mA (typical)  
  - **Standby Current:** 20 µA (typical)  
- **Compatibility:**  
  - **JEDEC Standard:** Compliant with common flash interface (CFI).  
  - **Backward-Compatible:** Works with older Numonyx/STMicroelectronics flash devices.  
- **Reliability:**  
  - **Endurance:** 100,000 program/erase cycles per sector.  
  - **Data Retention:** 20 years.  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Automotive electronics  
- Networking equipment  
- Industrial control systems  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory

128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory The **M29DW128G60ZA6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Organization:**  
  - 16 Mbit x 8 or 8 Mbit x 16  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V to 3.6V  
  - **VIO (I/O):** 1.65V to 3.6V  
- **Speed:**  
  - **Access Time:** 60 ns  
  - **Page Read Time:** 25 ns  
- **Interface:**  
  - **Parallel (x8 or x16)**  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **Industrial (-40°C to +85°C)**  
- **Package:**  
  - **TSOP56 (Thin Small Outline Package, 56-pin)**  

### **Descriptions:**  
- The **M29DW128G60ZA6E** is a **dual-bank flash memory** with **asynchronous and synchronous burst read modes**.  
- It supports **program and erase operations** with a **single power supply**.  
- Features **block protection** and **locking mechanisms** for secure data storage.  
- Compatible with **JEDEC standards** for flash memory.  

### **Features:**  
- **Dual-Bank Architecture:** Allows simultaneous read and write operations.  
- **Low Power Consumption:**  
  - **Active Read Current:** 25 mA (typical)  
  - **Standby Current:** 5 µA (typical)  
- **Flexible Sector Erase:**  
  - **Uniform 4 KB sectors**  
  - **128 KB blocks**  
- **Hardware and Software Protection:**  
  - **Block locking/unlocking**  
  - **Password protection**  
- **High Reliability:**  
  - **Endurance:** 100,000 program/erase cycles per sector  
  - **Data Retention:** 20 years  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory