64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory The **M28W640HCB70N6F** is a flash memory device manufactured by **Micron Technology**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:**  
- **Micron Technology**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Organization:** 8M x 8-bit or 4M x 16-bit  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V – 3.6V  
  - **VCCQ (I/O):** 1.65V – 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  

### **Features:**  
- **High-Performance Read Operations:**  
  - Fast random access time (70 ns)  
  - Page mode read for faster throughput  
- **Flexible Sector Architecture:**  
  - Uniform 4 KB sectors for efficient data storage  
  - Additional larger sectors for boot code  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: 10 µA (typical)  
  - Active read current: 15 mA (typical)  
- **Reliability & Endurance:**  
  - 100,000 program/erase cycles per sector  
  - 20-year data retention  
- **Hardware & Software Protection:**  
  - Block locking for secure code/data  
  - Password protection for additional security  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set  
  - Backward-compatible with older Micron NOR Flash devices  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Automotive electronics  
- Industrial controls  

This information is based solely on Micron's datasheet and official product documentation.

64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory