64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory The **M28W640HCB70N6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Organization:** 8M x 8 or 4M x 16  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-ball TFBGA (6x8 mm)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  

### **Descriptions:**
- The **M28W640HCB70N6E** is a high-performance **NOR Flash** memory designed for embedded systems requiring fast read operations and reliable non-volatile storage.  
- It supports **both 8-bit and 16-bit data bus configurations**, providing flexibility for different system designs.  
- The device is **asynchronous**, meaning it does not require a clock signal for operation.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
- **High Reliability:**  
  - **100,000 erase/program cycles** per sector  
  - **20-year data retention**  
- **Sector Architecture:**  
  - **Uniform 64 KB sectors** for flexible erase operations  
- **Hardware and Software Protection:**  
  - **Block locking** to prevent accidental writes  
  - **OTP (One-Time Programmable)** security registers  
- **Compatibility:**  
  - **JEDEC-standard** pinout and command set  
  - Backward-compatible with older NOR Flash devices  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

64 Mbit (4 Mb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory