32Mbit (2Mb x16) and 64Mbit (4Mb x16) 3V Supply, Boot Block, Secure Flash Memories The **M28W640FSB70ZA6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Organization:** 8M x 8-bit or 4M x 16-bit  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-ball TFBGA (6 x 8 mm)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  

### **Descriptions:**
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 128 KB sectors (64 sectors total)  
  - Supports individual sector erase  
- **Endurance:**  
  - Minimum 100,000 erase/program cycles per sector  
- **Data Retention:**  
  - 20 years minimum  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
  - Active read current: 15 mA (typical)  
- **Advanced Protection Features:**  
  - Hardware and software data protection  
  - Block locking for secure data  
- **Reliability:**  
  - ECC (Error Correction Code) for enhanced data integrity  
  - Built-in bad block management  

This device is designed for embedded systems requiring high-performance, non-volatile storage.  

Would you like additional details on any specific aspect?

32Mbit (2Mb x16) and 64Mbit (4Mb x16) 3V Supply, Boot Block, Secure Flash Memories

32Mbit (2Mb x16) and 64Mbit (4Mb x16) 3V Supply, Boot Block, Secure Flash Memories The **M28W640FSB70ZA6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Organization:** 8M x 8-bit or 4M x 16-bit  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-ball TFBGA (6 x 8 mm)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  

### **Descriptions:**  
- **High-Performance NOR Flash:** Designed for embedded systems requiring fast read operations.  
- **Sector Architecture:** Uniform 128 KB sectors for flexible erase operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access:** 70 ns access time.  
- **Reliable Data Retention:** Minimum 20 years.  
- **Sector Erase Capability:** Individual sector erase (128 KB).  
- **Hardware Data Protection:** Write protection via control pins.  
- **Compliant with Standards:** JEDEC-compliant command set.  

This device is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics requiring non-volatile storage.

32Mbit (2Mb x16) and 64Mbit (4Mb x16) 3V Supply, Boot Block, Secure Flash Memories