16 Mbit (1Mb x16/ Boot Block) 3V Supply Flash Memory The **M28W160ECB70ZB6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 16 Mbit (2 MB)  
- **Organization:** 1M x 16 (16-bit data bus)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP48 (Thin Small Outline Package, 48 pins)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 16 KB sectors  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance NOR Flash:** Designed for embedded systems requiring fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Reliable Data Retention:** Minimum 20 years of data retention.  
- **Sector Erase Capability:** Supports individual sector erase (16 KB) or full chip erase.  
- **Hardware & Software Protection:** Includes block locking and password protection features.  
- **Compatibility:** Works with standard microprocessor and microcontroller interfaces.  
- **Industrial-Grade:** Suitable for harsh environments due to extended temperature range.  

This flash memory is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

(Note: Verify datasheet for the latest technical details.)

16 Mbit (1Mb x16/ Boot Block) 3V Supply Flash Memory The **M28W160ECB70ZB6E** is a flash memory device manufactured by **Micron Technology**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Micron Technology  
- **Type:** Parallel NOR Flash Memory  
- **Density:** 16 Megabit (2M x 8-bit or 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel (x8/x16)  
- **Sector Architecture:** Uniform 64 KB sectors  

### **Descriptions:**  
- The **M28W160ECB70ZB6E** is a high-performance **NOR Flash** memory designed for embedded systems requiring fast read operations.  
- It supports **asynchronous** and **burst read modes** for efficient data access.  
- Features **low power consumption** and **high reliability**, making it suitable for industrial and automotive applications.  

### **Key Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 70 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 20 mA (typical)  
  - Standby Current: 20 µA (typical)  
- **Flexible Sector Architecture:** Uniform 64 KB sectors for easy erase and programming.  
- **Hardware Data Protection:** Supports **block locking** and **WP# (Write Protect)** pin for security.  
- **Extended Temperature Support:** Available in **industrial-grade** (-40°C to +85°C) versions.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout for easy replacement with similar NOR Flash devices.  

This information is based on Micron's datasheet and product documentation. For exact details, refer to the official **Micron M28W160ECB70ZB6E datasheet**.