16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory The **M28W160CT70N6E** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
### **Part Number:** M28W160CT70N6E  

#### **Key Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 16 Mbit (2 MB)  
- **Organization:**  
  - 2M x 8 bits  
  - 1M x 16 bits  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC (Core):** 2.7V to 3.6V  
  - **VIO (I/O):** 1.65V to 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP48 (Thin Small Outline Package, 48 pins)  

#### **Features:**  
- **Asynchronous Read Operation**  
- **Sector Erase Capability:**  
  - Uniform 16 KB sectors  
  - Additional top/bottom boot block configurations  
- **Page Mode Read:** Improves read performance  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Block locking for secure sectors  
  - Power-off write protection  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout  
  - Supports CFI (Common Flash Interface)  

#### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Automotive electronics  
- Industrial control  
- Networking equipment  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory The M28W160CT70N6E is a flash memory device manufactured by STMicroelectronics (ST) and later by Numonyx (a joint venture between ST and Intel).  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 16 Mbit (2 MB)  
- **Organization:** 1M x 16-bit  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP 48-pin  

### **Descriptions & Features:**  
- **Top Boot Block Architecture:** Supports flexible sector protection.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **High Performance:** Fast read and program/erase operations.  
- **Compatibility:** Fully backward-compatible with previous generations.  
- **Reliability:** Endurance of 100,000 write/erase cycles per sector.  
- **Security Features:** Hardware and software data protection mechanisms.  

This device was commonly used in embedded systems, automotive, and industrial applications.