512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory The **M28F256-12C3TR** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 256 Mbit (32M x 8)  
- **Speed:** 120 ns access time  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 64 KB sectors  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Descriptions:**  
- The **M28F256-12C3TR** is a **5V-only**, high-density flash memory device designed for embedded systems requiring non-volatile storage.  
- It features a **parallel interface** for fast read and write operations.  
- The device supports **block erase** functionality, allowing individual sectors to be erased and reprogrammed.  

### **Features:**  
- **High Reliability:** Built-in error correction and wear-leveling algorithms.  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  
- **Hardware Data Protection:** Includes a write-protect pin to prevent accidental modifications.  
- **Compatibility:** Fully backward-compatible with earlier ST flash memory devices.  
- **Industrial-Grade Options:** Available in extended temperature ranges (not this specific model).  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **M28F256-12C3TR**. For detailed technical data, refer to the datasheet.