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M28F256-10C1TR from ST,ST Microelectronics

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M28F256-10C1TR

Manufacturer: ST

512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M28F256-10C1TR,M28F25610C1TR ST 6309 In Stock

Description and Introduction

512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory The **M28F256-10C1TR** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 256 Mbit (32M x 8)  
- **Speed:** 100 ns (10 MHz)  
- **Supply Voltage:** 5V  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The M28F256-10C1TR is a **5V-only flash memory** device with a **256 Mbit (32M x 8) capacity**.  
- It is designed for applications requiring **non-volatile storage** with fast read and write operations.  
- The device supports **block erase and byte programming** for flexible data management.  

### **Features:**  
- **High-density storage** (256 Mbit)  
- **Fast access time** (100 ns)  
- **Low power consumption**  
- **Block erase capability** (sector-based erasure)  
- **Byte-programmable**  
- **5V single power supply**  
- **TSOP package for compact designs**  
- **Wide operating temperature range** (0°C to +70°C)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory# Technical Documentation: M28F25610C1TR Flash Memory

 Manufacturer : STMicroelectronics  
 Component Type : 256 Mbit (32 MB) Parallel NOR Flash Memory  
 Package : TSOP-56 (Thin Small Outline Package)  
 Technology : 0.18 µm CMOS, 3.3 V Supply Voltage  

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## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The M28F25610C1TR is a high-density, high-performance parallel NOR flash memory designed for embedded systems requiring non-volatile storage with fast random access. Its primary use cases include:

-  Boot Code Storage : Frequently employed as a boot ROM in microcontrollers, processors, and FPGAs. Its fast read access times (e.g., 90 ns initial access) allow for quick system initialization and XIP (Execute-In-Place) operation, where code is executed directly from flash without copying to RAM.
-  Firmware/OS Storage : Stores operating systems, application firmware, and configuration data in devices like industrial controllers, networking equipment (routers, switches), and automotive ECUs.
-  Data Logging : In systems requiring moderate-speed data recording, such as medical devices or test equipment, where its non-volatility and reliability are critical.
-  Programmable Logic Configuration : Used to store configuration bitstreams for FPGAs or CPLDs, leveraging its ability to be reprogrammed during system updates.

### Industry Applications
-  Automotive : Engine control units (ECUs), infotainment systems, and telematics (meeting extended temperature ranges, though specific grading must be verified).
-  Industrial Automation : PLCs, motor drives, HMI panels, and robotics, where reliability and long-term data retention are paramount.
-  Networking & Telecommunications : Routers, switches, base stations, and optical transport equipment for storing boot code, firmware, and protocol stacks.
-  Consumer Electronics : Digital TVs, set-top boxes, printers, and gaming consoles (though increasingly supplanted by serial flash or eMMC in cost-sensitive, high-volume applications).
-  Medical Devices : Patient monitors, diagnostic equipment, and infusion pumps, benefiting from its data integrity and deterministic read performance.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Fast Random Access : Superior to NAND flash for random read operations, ideal for XIP.
-  High Reliability : NOR architecture offers high endurance (typically 100,000 program/erase cycles per block) and long data retention (up to 20 years).
-  Bit-Level Programmability : Allows individual bits to be programmed from 1 to 0, simplifying small updates (though erasure is block-wise).
-  Wide Temperature Range : Often available in industrial (-40°C to +85°C) and automotive (-40°C to +125°C) grades, ensuring operation in harsh environments.
-  Proven Technology : Mature, well-understood interface (parallel address/data bus) with robust error management.

 Limitations: 
-  Higher Cost per Bit : More expensive than NAND flash, making it less suitable for mass storage (e.g., multimedia files).
-  Slower Write/Erase Speeds : Block erase and byte/word programming are orders of magnitude slower than reads; requires careful firmware management.
-  Large Footprint : Parallel interface (e.g., 22 address lines, 16 data lines) consumes many PCB traces and GPIOs on the host controller, increasing design complexity.
-  Power Consumption : Active read current is higher than serial flash alternatives; deep power-down modes are essential for battery-powered applications.
-  Obsolescence Risk : Parallel NOR is a legacy technology in some sectors, with declining support in newer microcontrollers favoring serial interfaces.

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
-  Incorrect Voltage Sequencing : Applying

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