IC Phoenix logo

Home ›  M  › M4 > M28F101-90K6

M28F101-90K6 from ST,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

M28F101-90K6

Manufacturer: ST

1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M28F101-90K6,M28F10190K6 ST 2000 In Stock

Description and Introduction

1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The **M28F101-90K6** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** M28F101-90K6  
- **Type:** Flash Memory  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Technology:** NOR Flash  

### **Descriptions:**
- The **M28F101-90K6** is a **1 Mbit (128K x 8)** flash memory device with a **90 ns access time**.  
- It is designed for **high-performance embedded systems**, offering **non-volatile storage** with **in-system reprogrammability**.  
- The device supports **byte-wide read and write operations** and features a **standard microprocessor interface**.  

### **Features:**
- **5V Single Supply Operation**  
- **Fast Access Time (90 ns)**  
- **Low Power Consumption** (Active & Standby modes)  
- **High Reliability** (Endurance: 100,000 write/erase cycles)  
- **Data Retention:** 10 years minimum  
- **Sector Erase Capability** (Flexible block architecture)  
- **Hardware & Software Data Protection**  
- **JEDEC Standard Pinout** (Compatible with other flash memories)  
- **Industrial-Grade Option Available**  

This information is based on ST's official documentation for the **M28F101-90K6** flash memory device.

Application Scenarios & Design Considerations

1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY# Technical Documentation: M28F10190K6 1-Mbit (128K x 8) Parallel NOR Flash Memory

 Manufacturer : STMicroelectronics (ST)
 Component Type : 5V, Parallel NOR Flash Memory
 Primary Package : K6 (TSOP-32)

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The M28F10190K6 is a 1-Megabit (128K x 8) 5V-only Flash memory designed for embedded systems requiring non-volatile code or data storage with a simple parallel interface. Its primary use cases include:

*    Boot Code Storage : Frequently employed as a primary boot device in microcontroller-based systems (e.g., based on 8051, 68k, or older ARM cores). Its ability to be accessed randomly with minimal latency makes it ideal for storing the initial bootloader and critical startup code.
*    Firmware Storage : Used to store the main application firmware for industrial control systems, telecommunications equipment, and automotive ECUs (Electronic Control Units) where 5V system buses are common.
*    Configuration/Parameter Storage : Stores calibration data, device settings, and network parameters that must be retained during power cycles.
*    Program Shadowing : In some architectures, code is copied ("shadowed") from the slower Flash into higher-speed SRAM or DRAM for execution. This device acts as the reliable source memory.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Automation : PLCs (Programmable Logic Controllers), motor drives, and HMI (Human-Machine Interface) panels for storing control algorithms and operational parameters.
*    Telecommunications : Legacy networking hardware such as routers, switches, and base station controllers.
*    Automotive : Found in older body control modules, instrument clusters, and infotainment systems (typically non-safety-critical).
*    Medical Devices : Patient monitoring equipment and diagnostic tools where firmware integrity is crucial.
*    Consumer Electronics : High-end audio/video equipment, gaming consoles (previous generations), and set-top boxes.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    5V-Only Operation : Simplifies power supply design in legacy 5V-dominated systems, eliminating the need for voltage level translators.
*    Simple Parallel Interface : Easy to interface with most microprocessors and microcontrollers without complex serial protocol controllers. Offers fast random read access.
*    High Reliability & Endurance : Typical endurance of 100,000 program/erase cycles per sector and data retention of 20 years, suitable for long-lifecycle products.
*    Proven Technology : Mature, well-understood technology with a long history in the industry, reducing design risk.
*    Hardware Data Protection : Features like `RP#` (Reset/Power-Down) pin and block lock/unlock provide hardware-level protection against accidental writes.

 Limitations: 
*    Lower Density : At 1 Mbit, it is low-density compared to modern NAND Flash or serial NOR devices, making it unsuitable for mass data storage.
*    Large Footprint : The parallel bus (11 address lines, 8 data lines, control signals) requires a significant number of PCB traces and a 32-pin package.
*    Slower Write/Erase Speeds : Write and block erase operations are orders of magnitude slower than read operations, requiring firmware management of status polling or interrupts.
*    Higher Power Consumption : Active and standby power consumption is generally higher than modern low-voltage serial Flash memories.
*    Obsolescence Risk : As industry moves towards lower voltages (3.3V, 1.8V) and serial interfaces (SPI, QSPI), parallel 5V Flash is becoming a legacy technology.

---

## 2. Design Considerations

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips