1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The **M28F101-120N6** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (EEPROM)  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Package:** PLCC-32 (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles  
- **Data Retention:** 10 years  

### **Descriptions:**  
- The **M28F101-120N6** is a **5V-only** flash memory device with a **byte-wide** interface.  
- It supports **in-system programming** and **erase operations** without requiring additional voltages.  
- Organized as **128K x 8 bits**, it is suitable for embedded systems requiring non-volatile storage.  

### **Features:**  
- **Single 5V Power Supply** (no external programming voltage needed).  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 30 mA (typical)  
  - Standby Current: 100 µA (max)  
- **Block Erase Capability:**  
  - Supports **sector erase** (16 x 8KB blocks).  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Includes **block lock/unlock** for security.  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout for easy replacement.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.