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M28F101-120N6 from ST,ST Microelectronics

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M28F101-120N6

Manufacturer: ST

1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M28F101-120N6,M28F101120N6 ST 2000 In Stock

Description and Introduction

1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The **M28F101-120N6** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (EEPROM)  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Package:** PLCC-32 (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles  
- **Data Retention:** 10 years  

### **Descriptions:**  
- The **M28F101-120N6** is a **5V-only** flash memory device with a **byte-wide** interface.  
- It supports **in-system programming** and **erase operations** without requiring additional voltages.  
- Organized as **128K x 8 bits**, it is suitable for embedded systems requiring non-volatile storage.  

### **Features:**  
- **Single 5V Power Supply** (no external programming voltage needed).  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 30 mA (typical)  
  - Standby Current: 100 µA (max)  
- **Block Erase Capability:**  
  - Supports **sector erase** (16 x 8KB blocks).  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Includes **block lock/unlock** for security.  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout for easy replacement.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY# Technical Documentation: M28F101120N6 1-Mbit (128K x 8) Parallel NOR Flash Memory

 Manufacturer : STMicroelectronics  
 Document Revision : 1.0  
 Date : October 26, 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The M28F101120N6 is a 1-Megabit (128K x 8) CMOS parallel NOR Flash memory device, designed for applications requiring non-volatile storage with fast random access and high reliability. Its primary use cases include:

*    Boot Code Storage : Frequently employed as a boot ROM in embedded systems (microcontrollers, DSPs, FPGAs) due to its ability to execute code directly from the memory array (XIP - Execute-In-Place). Its fast read access times enable quick system startup.
*    Firmware Storage : Ideal for storing application firmware, real-time operating system (RTOS) kernels, and configuration data in industrial controllers, networking equipment, and automotive ECUs.
*    Programmable Logic Configuration : Used to store configuration bitstreams for FPGAs and CPLDs, allowing the logic device to load its operational profile on power-up.
*    Data Logging & Parameter Storage : Suitable for applications requiring periodic updates of calibration data, event logs, or user settings, thanks to its sector-erase architecture.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Automation & Control : PLCs, motor drives, and human-machine interfaces (HMIs) use this memory for robust, reliable firmware storage in electrically noisy environments.
*    Telecommunications : Found in routers, switches, and base station controllers for boot code and critical network management firmware.
*    Automotive (Non-Safety Critical) : Used in infotainment systems, body control modules, and instrument clusters.  Note : For safety-critical applications (e.g., airbag controllers), an AEC-Q100 qualified device should be selected.
*    Medical Devices : Applicable in patient monitoring equipment and diagnostic tools where firmware integrity is paramount.
*    Legacy System Maintenance : Its parallel interface and standard JEDEC pinout make it a common choice for servicing and upgrading older electronic systems.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Fast Random Access : Enables XIP functionality, eliminating the need to shadow code into RAM.
*    High Reliability : NOR Flash architecture offers excellent data retention (typically >20 years) and high endurance (minimum 100,000 erase/program cycles per sector).
*    Proven Technology : Parallel interface is simple to interface with most microprocessors and microcontrollers without specialized serial controllers.
*    Flexible Erase Architecture : Supports full-chip erase or individual sector erase (typically 16 uniform 8-KByte sectors), allowing for efficient firmware updates.
*    Hardware Data Protection : Features like a hardware write-protect pin (`#WP`) and block locking prevent accidental corruption of critical code sectors.

 Limitations: 
*    Larger Footprint : Parallel interface requires significantly more PCB traces (~20+ pins for address/data/control) compared to serial Flash memories (e.g., SPI NOR).
*    Higher Power Consumption : Active read current and especially program/erase currents are higher than those of newer, low-power serial memories.
*    Slower Write/Erase Speeds : Write and erase operations (in the millisecond range) are orders of magnitude slower than read operations, requiring careful firmware management.
*    Lower Density/Cost Ratio : For densities above a few megabits, parallel NOR becomes less cost-effective and physically larger than NAND Flash alternatives.
*    Obsolescence Risk : The industry is migrating towards serial interfaces (SPI, QSPI, Octal SPI); parallel NOR is often

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