1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The **M28F101-120N3** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Technology:** NOR Flash  

### **Descriptions:**
- The **M28F101-120N3** is a **5V-only** flash memory device with a **byte-wide** interface.  
- It is designed for **embedded systems** requiring non-volatile storage.  
- Supports **in-system programming** and **block erase** functionality.  

### **Features:**  
- **Fast access time:** 120 ns  
- **Low power consumption:**  
  - Active current: 30 mA (typical)  
  - Standby current: 100 µA (typical)  
- **High reliability:**  
  - Endurance: 100,000 write/erase cycles  
  - Data retention: 10 years  
- **Hardware and software data protection**  
- **Compatible with JEDEC standards**  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **M28F101-120N3** flash memory device.