1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The **M28F101-120N1** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Flash Memory  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Speed:** 120 ns access time  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Package:** PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- **Architecture:** The M28F101-120N1 is a **1 Mbit (128K x 8)** flash memory organized in **uniform sectors**.  
- **Technology:** Uses **floating-gate technology** for non-volatile data storage.  
- **Interface:** Parallel interface with standard control signals (CE#, OE#, WE#).  
- **Endurance:** Supports **minimum 100,000 erase/program cycles** per sector.  
- **Data Retention:** **10 years minimum** at specified operating conditions.  

### **Features:**  
- **High-Speed Access:** 120 ns access time.  
- **Sector Erase Capability:** Allows selective erasure of individual sectors.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: **30 mA (typical)**  
  - Standby Current: **100 µA (max)**  
- **Hardware Data Protection:**  
  - VPP (Programming Voltage) monitoring for write/erase lockout.  
  - Power-on reset for accidental write prevention.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout for easy replacement in existing designs.  

This information is based on ST's official documentation for the **M28F101-120N1** flash memory device.