1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The **M28F101-120K1** is a flash memory component manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Interface:** Parallel  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles  
- **Data Retention:** 10 years  

### **Descriptions:**
- The **M28F101-120K1** is a **5V-only flash memory** device with a **byte-wide** organization.  
- It features a **high-speed read access time** of 120 ns.  
- Supports **in-system programming and erasure** without requiring additional voltages.  
- Designed for applications requiring **non-volatile storage** with fast read/write operations.  

### **Features:**
- **5V Single Power Supply** (no additional voltages needed for programming/erasure).  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 30 mA (typical)  
  - Standby Current: 100 µA (typical)  
- **Block Erase Capability:**  
  - Can erase individual blocks or the entire chip.  
- **Hardware and Software Data Protection:**  
  - Prevents accidental writes/erasure.  
- **Compatible with JEDEC Standards** for easy integration.  
- **Embedded Algorithms** for simplified programming and erasure.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.